flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 57 -avecVFB=MSOXFoxla tension de bandes plates et ladifférence des potentiels d'extraction métalsemiconducteur.= qLla capacité parunité de surface associée auxétats de surface.La combinaison des équations (2-6)et (2-9) conduit à l'équation donnant lepotentiel de surface en régime de forteinversion= 2tE + v log(VGEK2 "T "T2+ 1 (2-10)V -v +avec VGE = G FR Cox C(2-11)"Y'= +Css (2-12)ox
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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Par la présence de l'équation dif
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