flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

La comparaison de ces deux cycles montre unesimilitude à l'écriture. A l'effacement, lapour le FETMOS, malgré lad'avoir un début d'injection avant celui duplus importante du cycle correspondantparfaitemodification de couplagediminution de la surface injectante permetFlotox, ainsi qu'une penteà l'effacement.Bien entendu, en pratique, l'effacement est limité pour cesdispositifs, par la tension appliquée sur la source.Nous présentons à la figure 4-9 une comparaison del'encombrement de la cellule Flotox 2816 d'Intel et dla celluleFETMOS 2832 de Motorola [107 .La cellule 2816 d'Intel a une largeur de silicium polycristallinestimée à 2,5 i.tm et une longueur de diffusion de 3im donnant unesurface injectante de 7,5 tm2.La cellule 2832 de Motorola a une largeur de silicium polycristallinde 3,2 im et une largeur de canal de 2,8 ihm, ce qui donneune surface injectante d'écriture de 8,96 tm2.La surface totale du point mémoire est de l'ordre de630 tm2pour le Flotox et 270 m2 pour le FETMOS, ainsi pour des caractéristiquessimilaires le FETMOS permet, grke à sa zone d'oxyde mince située audessus du canal, un gain de place supérieur à 2 vis-à-vis du Flotox.