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- 53 -p la charge, par unité de volume,dans le silicium, Qox la densité de chargesfixes dans l'oxyde, par unité de surfaceramenée à l'interface Si-BiO2.La résolution de ces équations dansle cas de l'approximation graduelle deShockley)(c'est-à-dire lorsqueVl»32V9y2Ic2et valable en régime de non pincement ducanal) permet d'obtenir des expressionsanalytiques des courants.Lorsque l'on applique une tensionpositive entre la grille et le substrat, ilapparatt une zone de charge d'espace dans lesilicium et des porteurs libres (électrons) àl'interface Si-BiO2. On peut considérer queles porteurs sont dans un état de pseudo-équilibrethermodynamique, donc que leurs densitéssont définies par des pseudo-niveaux de Fermi.Comme il n'existe pas de composante de courantnormale à l'interface Si-BiO2, les pseudoniveauxde Fermi sont constants dans la zone decharge d'espace. La différence de potentiel(x) qui s'établit entre la couche d'inversionet le substrat neutre, se traduit par unecourbure des bandes d'énergie sur une distancexd (figure 2-4).Lors de l'emploi des transistorsMOS, les courants utilisés de manière pratiquecorrespondent à ceux de la forte inversion.