flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Le champ à travers l'oxyde mince estproportionnel à (1-B),où B est le coefficient de couplage entre le drain et la grilleflottante. tns le cas du Flotox,nous avons vu que (l-B) était peudifférent de A, or, entre les opérations d'écriture et d'effacement, lasurface injectante reste la même, il y a donc sensiblement symétrieentre écriture et effacement. Dans lecas du FET14OS, lors del'effacement, on diminue d'une part la surface injectante et d'autrepart, le coefficient de couplage entre drain et grille flottante B'. Elen découle que (1-B') >A et donc que le champ électrique dans l'oxydemince est plus élevé pour l'effacement que pour l'écriture. Par contre,surface injectante est plus faible.Le résultat de simulations effectuées à partir du modèleprésenté au chapitre II et modifié pour tenir compte des couplagesconvenables (différents à l'écriture et à l'effacement)montre que pourdes dispositifs réalisables pratiquement, l'effet de modification ducouplage prédomine sur l'effet de modification de surface. Ainsi, sil'on suppose que l'on n'estpas limité par une éventuelle conductiondans le canal des dispositifs (source polarisée), on trouve une trèsbonne efficacité d'injection à l'effacement pour le FETMOS.Nous présentons à la figure 4-8, le résultat comparatif dessimulations d'un dispositif Flotox et d'un dispositif FETNOS. Ledispositif Flotox utilisé pour cette simulation correspondapproximativement au point mémoire de l'EEPROM 2816 d'INTEL ; le FETNOSutilisé pour cette simulation est le dispositif correspondant à ceFlotox du point de vue surface injectante à l'écriture et du point devue couplage entre grille flottante et grille de contrôle; ce dernierdispositif se rapproche beaucoup de celui utilisé dans le point mémoirede 1'EEPROM 2832 de MOTOROlA [1051. L'épaisseur d'oxyde mince a étéprise arbitrairement égale à 100 A.