flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4 (1/3PFG - VD)+ C42/3) (Vrc - Vs) + C5 (V - VB) -C2 (VG - VFG) = Qau potentiel leLe substrat enpotentiel de référencetechnologie canal N étantplus bas, nous l'utiliserons comme(2-4 1)VFG (C1 + C3 + C4(1/3) + C4(2/3) + C5 + C2)= C2 VG + (C1 + C3 + C4(1/3)) VD + Qen posantC1 + C2 + C3 + C4(1/3) + C4(2/3) + C5 = EC (2-42)on obtientVFGC2VG + (C1 + C3 + C4(l/3)VD + C4(2/3)V5 + Q (2-43)ECen posantAC2EC(2-44)etC + C3 + C4(1/3)B- 1 (2-45)ECC4(2/3)B'-ECl'expression de VFG devientVFG = AVG + BVD + B'v5 + (2-46)
VG - 4 VVC-I VVG - 2 VVG - 2 VVG - i VVG - i Vu fl1cU2U DPfZLp5(a)FIGURE 2-14Tension de la grille flottante en fonction de la tension drain (a) et de la tensionde la grille de commande (b)
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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Texas Instrument, United States Pat
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