flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 118 -Ces valeurs ont été déterminées alors quele drain du dispositif Flotoxmince. C'est cette mêmeutilisée pour le tracé desétait situé c6té zoneconfiguration qui estcractéristiques.Le tracé expérimental etthéorique de lacaractéristique 1D de sur le dispositifà grille flottante sortie (figure 2-21) met enévidence un bon accord entre le modèle utilisé etl'expérience. L'écart entre les valeurs théoriqueset expérimentales est inférieur à 5 LLa figure 2-22 présente la comparaisondes tracés théoriques et expérimentaux dudispositif Flotox ;l'écart maximal entre lesvaleurs théoriques et expérimentales està 10 %, ce qui constitue un bonaccord théorie-expérience,compte tenu du modèle duinférieurS utilisé etdes erreurs sur la détermination des coefficientsde couplage.On en conclut que le dispositif Flotox dupoint de vue de la conduction se comporte comme untransistor MOS classique mais dont la tensiongrille dépend de la tension drain ainsi que de lacharge emmagasinée sur la grille flottante et de latension de la grille de commande.
- 119 -En ce qui concerne la conduction, lacomparaison du transistor MUS classique et dutransistor Flotox conduit aux conclusions suivantes- La zone 2 (saturée) pour le transistor MUS classiquea une caractéristique courant-tension indépendantede VDS (formule 2-58) ou dépendantfaiblement et linéairement de V alors que,cette caractéristique varie fortement en fonctionde la tension drain pour le dispositif Flotox(formule 2-60). On ne peut donc pas atteindre lasaturation avec le dispositif Flotox.- La transconductance dans la zone 2 est donnéepartir de (2-60) par1DS= 3VGS GFVDS = Cteox LA (A VGS + B VDS +VTGF) (2-63)i;-Alors que pour le MUS classique la transconductanceest relativement indépendante deV en zone saturée, pour le Flotox elledépend directement de la tension drain.- La limite entre les zones i et 2 est décalée dansle cas du Flotox par rapport au transistor MUSclassiquepour le MUS classique idéalpour le FlotoxVDS = VGS - VTVDS - 1-B'AVGS+ -re VTGF 1 (2-64)(cette expression est obtenue â partir de 2-60)
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Texas Instrument, United States Pat
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