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6Les EEPRCM par contre n'ont évolué que lentement, mais actuellementla tendance s'inverse : la place leur est cédée et Leur taux decroissance prévisionnel est le pLus élevé cki marché des mémoires.us donnons dans le tableau ciaprès l'évolution en pourcentage dela place prise par les EEPROM par rapport aux autres types de mémoiresmortes [1].ANNEETYPE DE MEMOIRE1979 1981 1985 EVOLUTIONROM 28 X 37 X 38 X STABILITEPROM 35% 29 X 24 Z DECROISSANCEEPROM 32 X 24 X 22 Z DECROISSANCEEEPRCM 4 X 10 X 16 Z CROISSANCELes utilisations actuelles des EEPROM peuvent être classéessuivant deux grands axes :- applications sauvegarde comportant généraLement peu de pointmémoires : compteur non volatil, circuit type vram, microprocesseuret EEPRI,- application ROEl comportant beaucoup de points mémoire : EEPRCMstandards, microprocesseurs et EEPRCM.Ces applications seront présentées plus en détail dans Lepremier chapitre de la deuxième partie.
-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS INTEGRESLes fonctions que doivent remplir un point mémoire nonvolatil peuvent se résumer en trois points :Stokage d'une information,Conservation de L'information sans altération durant une duréeindéterminée,Possibilité de récupérer â tout moment l'information stockée.Le principe de base pour stocker une information de manière non volatile consiste à modifier de manière curable mais nonirréversible les propriétés physiques d'un matériau. Jusqu'à nosjours trois principes ont été utilisés et développés :Systèmes à bulles magnétiques,Systèmes à verre semi-'conducteur,Systèmes à charges électriques.1.2.1 Systèmes à bulles magnétiquesLes systèmes à bulles magnétiques ont donné Lieuau développement des mémoires à bulles magnétiques (MBM) dontnous donnons succinctement le principe et Le fonctionnement.Sur un substrat non magnétique (généralement ungrenat de gadolinium - gallium) est déposé une couche mincemagnétique. A la surface de ce dernier un réseau de conducteurset de barreaux faits dans un alliage magnétorésistant(par exemple le permalloy) est déposé, et permet les opérationsd'écriture - lecture et d'effacement.
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