flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 46 -ISOLANT 2GRILLE 0E CONTROLEISOLANT iGRILLE FLOTTANTEZONEAMINCIEZONES DIFFUSEESrSUBSTRAT1'FIGURE 2-1: Structurschêmatque dUdìsposìtif FlotoxSOURCEGRILLEDRAIN(s) 1(G) (D)(ySUBSTRAT(B)FIGURE 2-2 : Structure du transistor MOS
Les grilles sont généralement réalisées ensilicium polycristallin.L'épaisseur de la premiare couche d'oxyde situéeentre le substrat et la grille flottante correspondl'épaisseur d'oxyde de grille classique d'un transistor NOSpour une technologie donnée. L'épaisseur de la zone aminciedans l'état actuel varie entre loo et 200 , mais sa valeurexacte ainsi que la valeur de l'épaisseur de l'oxyde entregrilles sont déterminées comme nous le verrons, en tenantcompte des possibilités technologiques et de l'optimisationdu fonctionnement du composant.II0L.2 Principe de fonctionnementdeux principesLe fonctionnement du dispositif Flotox repose sur- la possibilité d'emmagasiner une charge sur la grilleflottante,- l'utilisation de la conduction contrôlée par effet dechamp à travers la zone amincie pour véhiculer lescharges que l'on veut emmagasiner dans la grilleflottante, ou au contraire, enlever de celle-ci.
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