flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 116 -Ces dernières équations et ces paramètresont été utilisés pour vérifier le bon accord entrethéorie et expérience le ndèle utilisé est le;modèle de transistor MOS réalisé en technologieliMOS EFCIS [591.Ce modèle tient comptede la non uniformité du substrat- des effets géométriques (L,Z) sur la tension dede seuildes effets géométriques (L,Z) sur le coefficientde substrat linéarisé- de la saturation de la vitesse des porteursde la modulation de la longueur électrique ducanal dfle aux effets de canaux étroitsLe dispositif Flotox et les motifstémoins nécessaires à l'acquisition des paramètreset des résultats expérimentaux ont été réalisésdans la technologie précédemment décrite.Les transistors MOS témoins qui ontpermis de réaliser l'acquisition des paramètrestechnologiques avaient pour dimensions dessinéesZ/L : 10/3 ; 10/5 ; 10/7 ; 10/10 ; 100/100La valeur des paramètres et leursignification sont donnés à la figure 2-20. Lesdispositifs Flotox et Flotox è grille flottantesortie avaient pour dimensions Z/L 5/5.Les valeurs de couplage et chargeinitiale déterminées expérimentalement étaientA = 0,87 ; B = 0,09 et = -0,75VXC
- 117 -FLOTOXO-NHII2Ø-(ç0)as00uuvas u 10 - ZN (K)4.5 LaS.S CMI.,..)S.S (Mie...).43.3VTS 1.411 (V)S. (VIbi - 1.417 (V.1.1)WICH - S.m CVIKU 0.417 CVl.SWIU7 s.m CV)N 1.1K-N (R#V*I)itTLI SMI Clvp1ZTLI - -em (11V)-1.111 (11V)T(TR.NZQ.TLI 1.741SQ.TLZ -1.415C 0.5514e-- J-2 4uu2.52VDao a u tviu.?., IS * tU.(ft*tT*Ilf( ?t(C(UIe.T*LC- .auc ?.iaFIGURE 2-21 : Courbes théori ues et expérimentales de la caractéristiquecourant-tension drain du Flotox à grille flottante sortieRMI ta i :111-111HOTF 1Q C CENTRE )V- 1.0!VC- 4.0!FIGURE 2-22 : COURBES THEORIQUES ET EXPERIMENTALES DE LA CARACTERISTIQUECOURANT TENSION DRAIN DU FLOTOX
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