flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

More documents

Recommendations

Info

- 223 -COLOII4E i COLOMME 2LIGNE 0ETRANSISTOR 0E SELECTIONSELECTION ALIGNE DETRANSISTOR MEI4OIREPROGRAMMATION ALIGNE 0ELIGNE 0EPROGRMI4ATI0NFIGURE I-6Configuration du piaR mémoire d'une EEPROMCOLONNE i OCLOIGIE 20V0VCOLOMME i COLONNE 220V0V20 V20 VIRNSISTOR DE SELECTI201VITRGSIBTOR MEM0IREaavHEORITURE D'UN 'i"(CHARGE DE L.A GRILLE FLOTTANTE)ECRITURE D'UN "O"OECHARGE DE LA GRILLENTEECRITURE D'uN 'i"CCONSERVATION 0ELA CHARGE 0E LAGE)FIGURE I-7 : Mécanismes d'écriture de niveauxdans les points mémoirelogiques "1" et "O"
- 224 -L'effacement global consiste à appliquer la tensionde programmation (20V) sur toutes les lignes de programmationet de sélection, les colonnes étant maintenues à 0v.L'effacement par byte consiste à ne polariser à latension de programmation que la ligne de programmation et desélection du byte choisi, toutes les autres lignes étantmaintenues à 0v ainsi que toutes les colonnes.L'effacement sélectif par point mémoire ne pouvantpas être réalisé, il est impératif de réaliser une écriturepar byte après avoir fait un effacement au préalable.Le principe de l'écriture est le suivant :Q, polarise la ligne de sélection à la tension de programmationet la ligne de programmation à 0V.Q, polarise la source des points mémoires à VCC afind'éviter une consommation de courant inutile et une perted'efficacité d'injection de charges, lors du passage de latension de la grille flottante à une valeur supérieure àla tension de seuil du dispositif vierge.Pour les points mémoires donton veut décharger lagrille flottante (écriture d'un "0") on polarise la colonnecorrespondante au point mémoire à la tension de programmation.Pour Les autres points mémoires pour lesquels on désireconserver l'état de l'effacement, c'est-à-dire la grillechargée (écriture d'un "1"), on applique 0V sur les colonnescorrespondantes.I 7.Ces différents mécanismes sont résumés à La figure
Page 1 and 2:
N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
Page 4 and 5:
Sont aussi habilitées ì diriger d
Page 6 and 7:
AVANT-PROPOSLe travail présenté d
Page 9 and 10:
EV /mchamp électrique critique lon
Page 12:
VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
Page 15 and 16:
wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
Page 17 and 18:
P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
Page 19 and 20:
I NTRODUCT I ON
Page 21 and 22:
-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
Page 23 and 24:
PREMIEREPARTIE
Page 25 and 26:
-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
Page 27 and 28:
-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
Page 29 and 30:
9Couche mincemag ne t iqueSens de I
Page 31 and 32:
L'inscription se fait en injectant
Page 33 and 34:
- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A M
Page 35 and 36:
- 15 -- A est une constante, A = 2,
Page 37 and 38:
- 17 -Les porteurs chauds majoritai
Page 39 and 40:
- 19 -La figure 1-6 illustre cette
Page 41 and 42:
- 21 -1.3.1.3 Injection de porteurs
Page 43 and 44:
- 23 -+VG- VSUBTJONCTIONFIGURE l-7
Page 45 and 46:
- 25 -Etudiées depuis une quinzain
Page 47 and 48:
GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
Page 49 and 50:
- 29 -L'effacement est réalisé pa
Page 51 and 52:
- 31 -L'écriture de ce dispositif
Page 53 and 54:
- 33 -Q peut noter aussi L'existenc
Page 55 and 56:
ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
Page 57 and 58:
- 37 -- Structure à injection de p
Page 59 and 60:
- 39 -1.3.2.2 Structures bipolaires
Page 61 and 62:
- 41 -1.4 CONCLUSIONParmi tous les
Page 63 and 64:
- 43 -Le choix d'un point mémoire
Page 65 and 66:
11.1 DESCRIPTION - PRINCIPE DE FONC
Page 67 and 68:
Les grilles sont généralement ré
Page 69 and 70:
- 49 -11.1.2.1 Effet de la charge e
Page 71 and 72:
- 51 -- A l'interface Si-BiO2loi de
Page 73 and 74:
- 53 -p la charge, par unité de vo
Page 75 and 76:
- 55 -sest le potentielde surface n
Page 77 and 78:
- 57 -avecVFB=MSOXFoxla tension de
Page 79 and 80:
- 59 -C =[ IDI 2(2$F+ CVT)N (2-18)B
Page 81 and 82:
- 61 -L'expression générale de la
Page 83 and 84:
- 63 -- Si cette couche est suffisa
Page 85 and 86:
- 65 -réalisation d'un isolant int
Page 87 and 88:
- 67 -- croissance de l'oxyde de gr
Page 89 and 90:
- 69 -+ 9ème masque : ouverture pl
Page 91 and 92:
- Attaque du nitrure- Implantation
Page 93 and 94:
- 73 -- Oxydation grilleS132- Dép
Page 95 and 96:
11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
Page 97:
un même motif sontEn fait ces disp
Page 100 and 101:
- 80 -Lors de ces mesures, il estn
Page 102 and 103:
11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
Page 104 and 105:
__ li - ROI(LI - ..4t ISVOS-1. 3VYi
Page 106 and 107:
- 86 -A, A', B, K" sont des constan
Page 108 and 109:
COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
Page 110 and 111:
- 90 -En formulant l'hypothèse que
Page 112 and 113:
- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4
Page 114 and 115:
- 94 -Où Q est la charge sur la gr
Page 116 and 117:
- 96 -Nous avons aussi supposé que
Page 118 and 119:
- 98 -LiV4.75 azro.n VZ eIsIVIL - D
Page 120 and 121:
looDEBUTInitialisation des tableaux
Page 122 and 123:
- 102 -A -----EFUI LIUE CU LI Çt3E
Page 124 and 125:
- 104 -On en déduit que pour les v
Page 126 and 127:
11.2.5 Expression de la tension de
Page 128 and 129:
- 108 -LSO_¿OS SA Ut-OSZM.E LOTOSW
Page 130 and 131:
oat.' C1.-tSIUi2.31414 ..J vi . d -
Page 132 and 133:
Si l'on considère que pour un disp
Page 134 and 135:
iLa relation entre cette "pseudo-mo
Page 136 and 137:
- 116 -Ces dernières équations et
Page 138 and 139:
- 118 -Ces valeurs ont été déter
Page 140 and 141:
- La conduction du transistor I1S c
Page 142 and 143:
- 122 -vaVGtt..Ie_JN.p(a)p(b)vap(c)
Page 144 and 145:
- 124 -La mesure des charges initia
Page 146 and 147:
hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
Page 148 and 149:
11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
Page 150 and 151:
Ce résultat semble suffisant pour
Page 152 and 153:
y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
Page 154 and 155:
- 134 -Cette simplification se just
Page 156 and 157:
Nous avons réalisé des sures apr
Page 158 and 159:
La troisième hypothèse repose sur
Page 160 and 161:
- 140 -L'intégration permettant de
Page 162 and 163:
- 14210.y. env BED 25-8! 828 1 Moti
Page 164 and 165:
Les tensions appliquées à la gril
Page 166 and 167:
- 146 -2_ WI Sfl Vo-i7EHPS OEFFACEI
Page 168 and 169:
6\qO" - o- oA- AA - - i:--- A-An-po
Page 170 and 171:
La hauteur de barrière entre silic
Page 172 and 173:
Les hauteurs de barrière nsurées
Page 174 and 175:
BED 15 -oxyde de grille thermique (
Page 176 and 177:
C H A P I T R EIIIPROBLEMES LIES A
Page 178 and 179:
- 158 -ioyS.nV7fof4f3fBED 10 - 92 2
Page 180 and 181:
- 160 -ioCYCLE EXPERIMENTALBED No:
Page 182 and 183:
+ tant que la tension de programmat
Page 184 and 185:
- 164 -ioSVs HAUTDEGRADATION: BED n
Page 186 and 187:
- 166 -D'autre part, on observe des
Page 188 and 189:
- 168 -111.3.2 Explications théori
Page 190 and 191:
111.4. EFFETS DU TEMPS DE MONTEE DE
Page 192 and 193:
- 172 -La figure 3-8 correspond à
Page 194 and 195: - 174 -Pour un temps de montée tr
Page 196 and 197: - 176 -y. y+ f + + f+ffPEO *5 - MOT
Page 198 and 199: - 178 -- le dispositif Flotox est "
Page 200 and 201: - 180 -111.6. LIMITATION DE LA PROG
Page 202 and 203: - 182 -!LC OC DOPAGC SIIVAC.MTAT DC
Page 204 and 205: - 184 -2.0LI______iCOtC TOZLe......
Page 206 and 207: - 186 -VJENSION 0E SEUIL BAS EN FON
Page 208 and 209: - 188 -OPTIMISAT!QOU PROFIL 0E O0PA
Page 210 and 211: - 190 -111.7. CONCLtSIONOn peut dé
Page 212 and 213: IV 1. INTRODUCTIONLe dispositif Flo
Page 214 and 215: - 194 -IV.2. POINT MEI4OIRE DU TYPE
Page 216 and 217: L'élaboration d'uit modèle pour c
Page 218 and 219: IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La
Page 220 and 221: Le champ électrique créé dans la
Page 222 and 223: La comparaison de ces deux cycles m
Page 224 and 225: -TSI8T0R0E LECTUREFIGURE 4-9(a)Comp
Page 226 and 227: - 206 -* (.i U C..). 1(11- $- 24$$
Page 228 and 229: Cela correspond I un gain de 2 sur
Page 230 and 231: 10S2.0 0-2.12.22.72.2LS1.42.1L!2.5L
Page 232 and 233: Nous montrons aux figures 4-15 et 4
Page 234 and 235: DEUXIEMEPARTIE
Page 236 and 237: - 215 -1.1 INTRODUCTIONLes mémoire
Page 238 and 239: - 217 -Ui autre exemple concerne le
Page 240 and 241: - 219 -Quelque soit le type d'utiLi
Page 242 and 243: - 221 -1.2 CIRCUITS DU TYPE EEPROM1
Page 246 and 247: - 225 -1.3 CIRCUITS DU TYPE NOVRAM1
Page 248 and 249: - 227 -Le point essentiel d'une NOV
Page 250 and 251: - 229 -1.3.2.2 Présentation de que
Page 252 and 253: - 231 -A partir de ces deux types d
Page 254 and 255: LIGNE DE BIT13 14F-LIGNE DE BIT15 I
Page 256 and 257: - 235 -Le repositionnement utilise
Page 258 and 259: - 237 -Lors du repositionnement les
Page 260 and 261: - 239 -Dans ces conditions, lorsqu'
Page 262 and 263: - 241 -1.4 CONCLUSIONLes produits n
Page 264 and 265: DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
Page 266 and 267: CHAPITREPRESENTATION DU CIRCUITNOVR
Page 268 and 269: - 247 -\/\rt/\\!/\/A1]RESSAGE LIGNE
Page 270 and 271: 11.3 CHOIX DES CELLLLES MEMOIRES- 2
Page 272 and 273: - 251 -TBT.IOFIGURE 2-2 : Cellule m
Page 274 and 275: - 253 -Cependant, et c'est là Le d
Page 276 and 277: - 255 -Les schémas électriques de
Page 278 and 279: - 257 -La première cellule choisie
Page 280 and 281: - 259 -II.A CHOIX ET DESCRIPTION DE
Page 282 and 283: - 261 -- profondeur des jonctions :
Page 284 and 285: - 263 -- Oxydation de grille- Impla
Page 286 and 287: - effet de substrat :- 265 -transis
Page 288 and 289: - 267 -11.5 PRINCIPALES REGLES DE D
Page 290 and 291: - 269 -la figure 2-11.Les principal
Page 292 and 293: 111.1 INTRODUCTIONLe circuit prése
Page 294 and 295:
111.2 DESCRIPTION DES ELEMENTSCOITI
Page 296 and 297:
- 275 -En mode lecture les 1YS 11 e
Page 298 and 299:
- 277 -A la figure 3-4 sont représ
Page 300 and 301:
- 279 -tension en Vs-.CDébut de le
Page 302 and 303:
- 281 -La figure 3-7 met en éviden
Page 304 and 305:
- 283 -SORTIE AMPLI. EI129 1730ii_4
Page 306 and 307:
- 285 -En écriture la commande de3
Page 308 and 309:
- 287 -On remarquera sur la figure
Page 310 and 311:
- 289 -On peut supposer sans perteR
Page 312 and 313:
111.3 IMPLANT&TION DU CIRCUITSons d
Page 314 and 315:
FIGURE 3-15 bi s :De sn d'tmplantat
Page 316 and 317:
- 295 -111.4 CONCLtSIONLa NOVRAM é
Page 318 and 319:
- 297 -CONCLUS ION
Page 320 and 321:
- 299 -La d,Lme.n4-Lon da euLt tan,
Page 322 and 323:
Texas Instrument, United States Pat
Page 324 and 325:
[81] T. W. HICKMOTT et R. M. ISAAC,
Page 326 and 327:
- 300 -ANNEXES
Page 328 and 329:
-2-a S1 B(BLexp B Lt+exp('KL+Q - L
Page 330 and 331:
De l'ensemble des relations (1), (2
Page 332 and 333:
6ANNEXZ 3x représentant la distanc
Page 334 and 335:
V(x1) - y(o) = -f E (x) dx =sNBSr1
Page 336 and 337:
- lo -Lorsque a < x < bE(x) - E(a)
Page 338 and 339:
- 12 -Ecriture des équations= C2 (
Page 340 and 341:
Par la présence de l'équation dif
Page 342:
Le .tiavaLe eectu eonceJne deux dom
show all

flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?