flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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CHAPITREPRESENTATION DU CIRCUITNOVRAMCHOIX DES CELLULES MEMOIRES ET CHOIXDE LA TECHNOLOGIE
- 246 -11.1 INTRODUCTIONLe but de Ltétude qui afaisabilité d'un circuit RAM nonmémoires cii type Flotox. Cettematrice de petite capacité (256essentiel-les envisagées sont Les suivantes :été menée est de démontrer LavoLatiL, utilisant des pointsétude devant être faite sur unebits) dont les caractéristiques- capacité : 256 bits- organisation : 64 mots de 4 bits- tenus d'accès en lecture : 250nsconsommation : 100mWtemps de prise en mémoire :1 à lOms- temps de repositionnement : i à 2is- tension d'alimentation : 5V + 10 %- températ1e de fonctionnement : 00 - 70°C- rétention non aLimentée : > 5 ans- tension de programmation : ' 20V
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
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PREMIEREPARTIE
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-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A M
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- 15 -- A est une constante, A = 2,
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- 17 -Les porteurs chauds majoritai
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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- 33 -Q peut noter aussi L'existenc
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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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Les grilles sont généralement ré
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- 57 -avecVFB=MSOXFoxla tension de
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- 65 -réalisation d'un isolant int
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- Attaque du nitrure- Implantation
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11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
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un même motif sontEn fait ces disp
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- 80 -Lors de ces mesures, il estn
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11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
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- 86 -A, A', B, K" sont des constan
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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- 90 -En formulant l'hypothèse que
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- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4
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- 94 -Où Q est la charge sur la gr
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- 96 -Nous avons aussi supposé que
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- 98 -LiV4.75 azro.n VZ eIsIVIL - D
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looDEBUTInitialisation des tableaux
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Si l'on considère que pour un disp
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iLa relation entre cette "pseudo-mo
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- 116 -Ces dernières équations et
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- La conduction du transistor I1S c
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- 124 -La mesure des charges initia
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11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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- 134 -Cette simplification se just
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Nous avons réalisé des sures apr
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La troisième hypothèse repose sur
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- 14210.y. env BED 25-8! 828 1 Moti
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Les tensions appliquées à la gril
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- 146 -2_ WI Sfl Vo-i7EHPS OEFFACEI
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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Texas Instrument, United States Pat
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[81] T. W. HICKMOTT et R. M. ISAAC,
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