flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 109 -Ces expressions ont été comparées aux résultatsexpérimentaux obtenus par les mesures de tension de seuilsur dispositif Flotox après avoir fait varier la charge surla grille flottante. La variation de charge graduelle sur lagrille flottante a été obtenue en polarisant la grille decommande à des valeurs croissantes de tension tout engardant le drain et la source à 0V.La tension de seuil a été mesurée à chaque pas etla charge sur la grille flottante a été mesurée à l'aide dela méthode décrite au paragraphe 11.2.3.La figure 2-18 met en évidence la variation detension de seuil lors de l'écriture du Flotox.Les courbes théorique et expérimentale de latension de seuil en fonction de la charge sont représentéesà la figure 2-19eLe bon accord entre les résultats théoriques etexpérimentaux valide l'expression de la tension de seuil2-54.Il confirme aussi le fait que la chargerépartit effectivement suivant le udàle capacitif proposé.se11.2.5.2 Caractéristique théorique courant -tensionPour un transistor MOS classique dedimensions relativement élevées- en régime de forte inversion et en régime nonsaturé une expression du courant est donnéepar [56]:VDS2'D = [(vG5_VTO)vDs. 2 - KB [ (VDS + VB+ 2 - (VB + 2 (2-55)
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