flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 261 -- profondeur des jonctions :basse tension : double implantation :phosphore Ipim - arsenic 0,3iimhaute tension : implantation phosphore 0,óitm= O,5um- oxyde de grille : épaisseur 600 à 700 X- oxyde de chanp (valeur finie) : épaisseur 11Amoxyde interpoly : épaisseur 500 à 800Xoxyde épais (valeur finie): épaisseur 8000 Xépaisseur poly i : 5000 Xépaisseur poly 2 : 5000 XLes principales étapes technologiquesrésumées dans les pages suivantes (figure 2-11)sontLes principaux paramètres électriquessont lessuivants :- tension de seuil des transistors :de type canal N : VTN = 0,8 + 0,2Vde type canal P : VIP = 0,8 + 0,2V
- 262 -FIGURE 2-11 : Principales étapes technologiues- Implantation des caissons NNRESINEpDépôt nitrure- Gravure nitrureNITRUflENS102RESINENITRUREpT- Implantation ionique Nd'isolement caisson- Implantation ionique Pd' isolement substrat- Oxydation de champ- Attaque nitrure et oxyde- Ajustement des tensionsde seuil VTN Vf
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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PREMIEREPARTIE
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-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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- 15 -- A est une constante, A = 2,
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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Ce résultat semble suffisant pour
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La hauteur de barrière entre silic
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