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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
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PREMIEREPARTIE
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-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A M
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- 15 -- A est une constante, A = 2,
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- 17 -Les porteurs chauds majoritai
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- 23 -+VG- VSUBTJONCTIONFIGURE l-7
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- 25 -Etudiées depuis une quinzain
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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- 37 -- Structure à injection de p
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- 39 -1.3.2.2 Structures bipolaires
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- 43 -Le choix d'un point mémoire
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11.1 DESCRIPTION - PRINCIPE DE FONC
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Les grilles sont généralement ré
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- 51 -- A l'interface Si-BiO2loi de
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- 53 -p la charge, par unité de vo
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- 55 -sest le potentielde surface n
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- 57 -avecVFB=MSOXFoxla tension de
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- Attaque du nitrure- Implantation
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- 73 -- Oxydation grilleS132- Dép
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11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
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un même motif sontEn fait ces disp
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11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
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__ li - ROI(LI - ..4t ISVOS-1. 3VYi
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- 86 -A, A', B, K" sont des constan
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4
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- 98 -LiV4.75 azro.n VZ eIsIVIL - D
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looDEBUTInitialisation des tableaux
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11.2.5 Expression de la tension de
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oat.' C1.-tSIUi2.31414 ..J vi . d -
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Si l'on considère que pour un disp
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iLa relation entre cette "pseudo-mo
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- 122 -vaVGtt..Ie_JN.p(a)p(b)vap(c)
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hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
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11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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- 134 -Cette simplification se just
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Nous avons réalisé des sures apr
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La troisième hypothèse repose sur
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- 14210.y. env BED 25-8! 828 1 Moti
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Les tensions appliquées à la gril
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- 146 -2_ WI Sfl Vo-i7EHPS OEFFACEI
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6\qO" - o- oA- AA - - i:--- A-An-po
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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BED 15 -oxyde de grille thermique (
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C H A P I T R EIIIPROBLEMES LIES A
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- 158 -ioyS.nV7fof4f3fBED 10 - 92 2
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+ tant que la tension de programmat
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111.4. EFFETS DU TEMPS DE MONTEE DE
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- 182 -!LC OC DOPAGC SIIVAC.MTAT DC
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- 184 -2.0LI______iCOtC TOZLe......
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- 186 -VJENSION 0E SEUIL BAS EN FON
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IV 1. INTRODUCTIONLe dispositif Flo
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L'élaboration d'uit modèle pour c
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IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La
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Le champ électrique créé dans la
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La comparaison de ces deux cycles m
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-TSI8T0R0E LECTUREFIGURE 4-9(a)Comp
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Cela correspond I un gain de 2 sur
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10S2.0 0-2.12.22.72.2LS1.42.1L!2.5L
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Nous montrons aux figures 4-15 et 4
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DEUXIEMEPARTIE
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LIGNE DE BIT13 14F-LIGNE DE BIT15 I
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DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
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CHAPITREPRESENTATION DU CIRCUITNOVR
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11.3 CHOIX DES CELLLLES MEMOIRES- 2
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