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flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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111.4. EFFETS DU TEMPS DE MONTEE DE IA TENSION DE PROGRAMMATIONPour programmer un dispositif, on applique une "hautetension" durant un certain temps. Pour parvenir à cette tension, laligne <strong>de</strong> programmation du dispositif (ou du circuit) passe <strong>de</strong> O(ou 5 V) à la "haute tension" en un certain temps ; nous appellerons cetemps : "temps <strong>de</strong> montée".Si le temps <strong>de</strong> montée est supérieur ou égal lo ma (pourune programmation <strong>de</strong> 100 ma par exemple), l'injection <strong>de</strong> charges opèrependant le temps <strong>de</strong> montée. En contre partie, plus le temps <strong>de</strong> montéeest bref, plus le champ aux bornes <strong>de</strong> l'oxy<strong>de</strong> mince atteint <strong>de</strong>s valeursélevées comme l'illustre la figure 3-8. Cela est d6 au fait quel'injection ne peut avoir lieu durant le temps <strong>de</strong> montée pour lavaleur du champ donné, le temps pendant lequel ce champ est maintenuest trop bref pour permettre une injection <strong>de</strong> charges ; ainsi aucunemodification du champ interne ne peut venir diminuer la valeur du champinitial.Ainsi, plus le temps <strong>de</strong> montée est bref, plus la valeur duchamp aux bornes <strong>de</strong> l'oxy<strong>de</strong> mince tend vers la valeur maximum du champque l'on peut avoir aux bornes <strong>de</strong> l'oxy<strong>de</strong>, c'est-à-dire le champexterne dû à la tension <strong>de</strong> programmation plus le champ internecorrespondant à l'état précé<strong>de</strong>nt la programmation.

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