flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 269 -la figure 2-11.Les principales étapes de fabricationsont résumées parEnfin, les règles de dessin sont du type HC1N (3,4gm)pour la circuiterje périphérique non soumise à la haute tension,et sont plus larges pour le plan mémoire et les parties soumises àla haute tension (5i.im).
CHAP I TREIIIDESCRIPTION DU CIRCUIT NOVRAM
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
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PREMIEREPARTIE
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-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A M
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- 15 -- A est une constante, A = 2,
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- 17 -Les porteurs chauds majoritai
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- 23 -+VG- VSUBTJONCTIONFIGURE l-7
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- 25 -Etudiées depuis une quinzain
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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- 29 -L'effacement est réalisé pa
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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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Les grilles sont généralement ré
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- Attaque du nitrure- Implantation
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11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
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un même motif sontEn fait ces disp
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- 80 -Lors de ces mesures, il estn
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11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
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- 86 -A, A', B, K" sont des constan
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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- 90 -En formulant l'hypothèse que
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- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4
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Si l'on considère que pour un disp
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- La conduction du transistor I1S c
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- 124 -La mesure des charges initia
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11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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Nous avons réalisé des sures apr
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La troisième hypothèse repose sur
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Les tensions appliquées à la gril
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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IV 1. INTRODUCTIONLe dispositif Flo
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L'élaboration d'uit modèle pour c
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IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La
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Le champ électrique créé dans la
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La comparaison de ces deux cycles m
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