flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 188 -OPTIMISAT!QOU PROFIL 0E O0PACSIMULATION SUR SUPREME(Ju(nCoImplaratat.ion GORE 7GKev 8G11 atlu/CM2uo-aXo -X'au zo(-aanOUOaoaFIGURE 3-23 : Optimisation du profil de döpageIA1tRATI4 O LA TENSI4 CRAIN .J Ft.OTXDI FCTICN OC LA TD13I CRILL.E OU NCRXC CPTIMZSE- L S.- F/C.OUE T)CRRi, VFIGURE 3-24 : Courbe de la tension de saturation du drain "optimisée"
Toutefois, un profil de dopage idéal peut poser desproblèmes de perçage pour des MOS série soumisune haute tension.Pour des petits circuits, il semble préférable d'ajusterd'abord le profil de dopage et de déterminer ensuite les dimensionsminimales des transistors série.Ainsi, avec le profil de dopage proposéla figure 3-23, laperte en tension due au transistor série est minimisée (figure 3-24) ;mais le transistor doit avoir une longueur supérieure ou égale à 6 impour éviter le perçage.Pour des circuits complexes il est important d'assurer lefonctionnement du circuit avec de faibles fenêtres umoire de façon àavoir des transistors de dimensions minimales l'effet du transistor;série étant dans ce cas moins critique
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