flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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Les hauteurs de barrière nsurées par photoémissionne montrent pas de manière évidente une diminution parrapport aux valeurs des hauteurs de barrière de l'interfacesilicium monocristallin-oxyde [85] alors que les hauteurs debarrière utilisées pour justifier la conduction Fowler-Nordheim sont plus faibles. On ne doit donc pas considérerces dernières comme les valeurs réelles représentant lesniveaux d'énergie à l'interface silicium polycristallin-"oxyde entre grilles" mais comme des paramètres pratiquespermettant de modéliser la conduction.On notera enfin que le mécanisme de conductionFowler Nordheim ne se vérifie plus totalement, dans le casde "l'oxyde entre grilles", lorsque le temps d'injection esttrès élevé. En effet, lorsque l'on applique une tensionconstante aux bornes de "l'oxyde entre grilles", le courantdécroit dans le temps et ne semble pas vouloir se stabiliserà une valeur fixe de courant de fuite. Ce résultat, qui sedifférencie par l'ampleur de la décroissance et la nonsaturation du courant de celui obtenu pour de l'oxyde sursilicium monocristallin, s'explique par la génération depièges à électrons à champ électrique élevé dans "l'oxydeentre grilles" [91]
TABLEAU RECAPITULATIF SUR LES HAtTI'E URS DE BARRIERE La valeur indiquéeest la valeur moyenne avec entre parenthèse l'écart type.Lot et-séquences des 1ères étapes de fabricationtrancheeBED 10en eVen eV.remarques concernant la technologie utiliséeo-oxyde de grille thermique (850 A)SI 267 2,85 2,10 -implant. ionique phosphore 130 keV-4.10'5cm-3(0,01) (0,05) gravure ouverture oxyde minceSI 270 2,89 2,05 oxyde mince thermique (150 A : SI 267)(0,00) (0,05) (200 X : SI 270).poly 1 dopé pendant le dépôt.oxyde interpoly : Si02 thermique (900BED 13Rl 32 2,56 2,75 -oxyde de grille thermique (850 X)(0,01) (0,06) -implant. ionique phosphore 100 keV-4.l0'5cm3-gravure ouverture oxyde minceo-oxyde mince thermique (150 A : RI 32).poly 1 dopé après dépôt.oxyde interpoly : S102 thermique (500BED 14 -oxyde de grille thermique (850 A)RI 80 2,74 3,07 -implant. ionique phosphore 100 keV-4.10'5cm3(0,05) (0,06) -gravure ouverture oxyde mince-oxyde mince thermique (150 RI 80).poly 1 dopé après dépôt.oxyde interpoly : Si02 déposé (500 A)
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