flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 42 -Le MNOS comparé aux dispositifs à grille flottante présentedes caractéristiques moins bonnes ou équivalentes. Les inconvénientsmajeurs sont liés d'une part à la difficulté de fabriquerde très faibles épaisseurs d'oxyde de silicium reproductibles,d'autre part ils résident dans l'existence de sites de stockage"sauvages" dont la localisation est mal déterminée et qui a pourconséquence une redistribution et une perte de charges au cours deslectures et des programmations répétées. Sa supériorité par rapportaux autres dispositifs réside essentiellement dans une moins grandesensibilité aux perturbations extérieures telles par exemple lerayonnement de particules a (structures "durcies").préférera donc les structures à grille flottante. Pources structures, il est difficile de se prononcer de manière absolueen faveur du mécanisme d'injection par effet tunnel plutdt que parporteurs chauds , car d'une part, globalement les avantages desuns semblent compenser celui des autres, d'autre part des structuresutilisant de nouveaux oxydes diminuent les inconvénients liésau mécanisme tunnel, et enfin des structures utilisant les deuxmécanismes liés aux deux principes d'injection en atténuent lesdéfauts.Les inconvénients majeurs de l'injection par porteurschauds semblent etre le bon contr6le de l'injection et la consommationélevée de courant liée à cette injection. Pour l'effet tunnell'inconvénient majeur semble être une dégradation possible del'information à la lecture. Cet inconvénient peut-être masqué pardes améliorations technologiques ou l'utilisation d'une conf igurationparticulière en circuit (par exemple : lecture sous tensionnulle).
- 43 -Le choix d'un point mémoire à injection du type tunnelpermet, relativement aux points mémoires à injection par porteurschauds, une diminution de la consommation. Cette réduction de consommationpeutêtre assurée aussi par le développement de la technologieCMOS appliquée à La réalisation de mémoire non volatile.Les performances actuelles moyennes des points mémoires àgrille flottante sont les suivants :temps de programmation : i à lOms- tension de programmation : 15 à 20V- seuil d'endurance : 10 000 cycles écritures/effacements- rétention de l'information i0 ansEnfin nous noterons que si La taille actuelle des EEPROMest de 1,5 à 3 fois celle des mémoires vives et les rendementscomparativement élevés [511, l'amélioration des technologies doitpermettre de pallier ces désavantages.
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