flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Le champ électrique créé dans la partie de l'oxyde fin situéentre la grille flottante et l'extension latérale de la diffusion dedrain provoque le départ des électrons de la grille flottante vera ledrain par effet tunnel Fowler Nordheim. La polarisation de la source+ 5 V durant cette opération permet au composant FETMOS d'êtreprogrammé une tension de seuil d'environ - 5 V. Si la source n'étaitpas polarisée, lorsque la tension de la grille flottante atteindrait lavaleur d'origine du dispositif vierge, un courant pourrait circulerdans le canal ; la tension drain serait alors réduite, ayant pourconséquence-une limitation de l'injection de charges.Lors de l'écriture (injection d'électrons vers la grilleflottante), la surface injectante du FETMCS est la surface canal plusles surfaces des extensions latérales des diffusions.Si l'on se place dans le cas d'un dispositif Flotoxayant une même valeur de surfaceinjectante, une même valeurd'épaisseur d'oxyde mince et une même valeur de capacité d'oxyde entregrilles, on pourra considérer que lesidentiques en ce qui. concerne l'injectionflottante. En effet, ils ont une même surfacedispositifs FETMOS et FLOTOX sontd'électrons vers la grilleinjectante et une mêmevaleur "A" de couplage entre la grille de contr6le et la grilleflottante.Par contre, ces deux dispositifs sont différents lors del'injection d'électrons de la grille flottante vers le drain