flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 231 -A partir de ces deux types de montagesde nombreuses variantes sont possibles. Il fautaussi noter que ces principes restent vaLables entechnologie CMOS.- Exemple de cellule réalisée en technologieCanal NLe schéma de principe d'un premiertype de cellule est donné à la figure I-13.[*5:1.Cette cellule est composd'unbistable dont les branches sont légèrementdéséquiLibrées. 1h dispositif à grilleflottante électriquement programmabLe T5 estplacé en parallèle avec un transistor de charge16 sur l'une des branches du bistable. Letransistor T5 est bloqué lorsque sa grilleflottante est chargée négativement. De ce fait,le transistor 16 n'est pas shunté etl'impédance présentée par T, T6 est environ10 Z plus élevée que l'impédance du transistorT3. Lorsque le transistor T est passant,c'estâdire lorsque sa gri Ile flottante estdéchargée ou chargée positivement, letransistor T shunte le transistor 16 etl'impédance présentée par le transistor T estenviron 10 Z pLus faible que celle de T3le suivant :Le fonctionnement de la cellule est- en fonctionnement mémoire vive classique, ledéséquilibre de + 10 Z d'une branche ciibistable par rapport à l'autre ne perturbepas le système.
- 232 -- lors de la mise en mémoire non volatile, latension d'alimentation VDD normalement à 5Vpasse à une haute valeur de tension (del'ordre de 20V). Sil'on suppose le noeudNB dans l'état haut et NA dans l'état bas(0V), NB va passer à une haute tension.Ainsi la grille de contr6le de 15 sera à 0V,tandis que ses source et drainseront à unehaute tension. De cette manière on chargerapositivement la grille flottante. (15 passant).Dans le cas inverse (NA dans l'étathaut et NB dans l'état bas), les source etdrain de 15 seront à 0V tandis que sa grillede contr6le sera à la "haute tension", ainsion chargera négativement la grille flottante(T5 bloqué).Lors du repositionnement, siest passant, 16 est shunté et laprésentée par Tprésentée par T3résistanceest inférieure â celleet donc la tension au noeudNB montera plus rapidement que NA, provoquantla conduction de T ; ainsi les cellulesretrouveront l'état qui avait été stocké. Si 15est bloqué, la résistance présentéepar T, Test supérieure à celle présentée par T3 et doncla tension sur le noeud NA montera plus rapidementque NB provoquant la conduction deT2De nombreuses autres cellules réa liséesen technologie canal N, ont été proposéeset reposent sur le principe du déséquilibre desbranches cii bistable. [*61 [*71
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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I NTRODUCT I ON
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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