flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Nous montrons aux figures 4-15 et 4-16 l'influence que peutavoir la hauteur de barrière sur la fenêtre mémoire pour deux valeursdu temps de programmation : 1 ms (figure 4-15) et lo ms (figure 4-16)et pour le dispositif Flotox correspondant à la figure 4-13.Enfin, on notera que l'utilisation d'oxyde thermique obtenupar oxydation de silicium polycristallin permet d'obtenir des valeursde hauteur de barrière très faibles : elles peuvent varier entre 0,6 et2 e.v. ;toutefois, il semble très difficile d'obtenir une bonnereproductibilité de la valeur de la hauteur de barrière pour ce typed'oxyde (cela étant dû à la difficulté d'obtention d'une bonne reproductibilitéde la croissance des grainsà l'interface Si poly/oxyde).La figure 4-17 présente les fenêtres mémoires que l'on pourraitobtenir avec un tel diélectrique dans le cas du dispositif de lafigure 4-13 pour un temps de programmation de 10 ma et des valeurs detension de programmation inférieures à 10 V.