AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...

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4. ANWENDUNG KERNPHYSIKALISCHER METHODEN
Der Umfang der Untersuchungen, die mit Hilfe kernphysikalischer Methoden zu
festkörperphysikalischen Problemen durchgeführt wurden, hat sich im Berichtszeitraum
gegenüber dem letzten Berichtsabschnitt beträchtlich erweitert. Die
folgenden Kurzberichte enthalten Ergebnisse, die im ZfK Rossendorf, der FSU
Jena, der BA Freiberg, der KMÜ Leipzig und der TU Dresden erzielt worden sind.
Mit Hilfe gestörter Winkelkorrelationen wurden an einer Reihe von Metallegierungen
Quadrupolwechselwirkungen und deren Abhängigkeit von der Temperatur, vom
prozentualen Anteil der Komponenten und von Verunreinigungen bestimmt sowie erste
Messungen zur Überprüfung des Einflusses von Phasenübergängen auf den zeitabhänr
gigen Anisotropiekoeffizienten durchgeführt.
Weitere Ergebnisse zur Anregung von Röntgenstrahlung in Si mit Protonen von 2
bis 8 MeV und an biologischen Substanzen mit Müonen am Synchrozyklotron im VIK
Dubna werden mitgeteilt.
Rückstreumessungen, unter Ausnutzung des Kanalisierungs- und Schatteneffekts,
sind zur Bestimmung von Eigenschaften metallischer Einkristalle, halbleitender
Verbindungen und isolierender Schichten sowie zur Untersuchung von Strahlenschäden
implantierter Silizium-Einkristalle eingesetzt worden. Uber die Art und
das Verhalten von Strahlenschäden in Abhängigkeit von Implantationsdosis, Ionenart,
Implantations- und Ausheiltemperatur konnten in Verbindung mit anderen Meßmethoden
bestehende Vorstellungen erweitert werden.
Die Arbeiten zur Ionenimplantation erstreckten sich von Messungen der Implantationsprofile,
Bestimmung der Lage von pn-Übergängen mit der Rasterelektronenmikroskopie,
Untersuchung von Strahlenschäden, röntgentopografische Untersuchungen,
Fragen der Rückstoßimplantation und anderen Messungen bis zur elektrischen
und optischen Untersuchung implantierter Strukturen in Silizium.
4.1. BERECHNUNG DER AXIALEN DEKANALISIERUNG
U. Finger, K. Gärtner und K. Hehl
Friedrich-Schiller-Universität Jena, Sektion Physik
K. Hohmuth
Die tiefenabhängige Ausbeute an rückgestr«uten Ionen berechnet sich mittels der
querenergieabhängigen Trefferwahrscheinlichkeit TT ¿n(E ) aus der Verteilung der
Querenergien in der entsprechenden Tiefe t zu
oo
X(t) = $ g(E± ,t) Orin(Ei)dE1 .
0
Für kleine Querenergieänderungen beim Einzelstoß kann nach Lindhard [1] und
Bonderup et al. [2] die tiefenabhängige Verteilung der Querenergien g(E^,t)
durch eine Diffusionsgleichung mit der Diffusionsfuhktion D(E_l ) beschrieben
werden. Die Diffusionsfunktion setzt sich im ungestörten Kristall additiv aus
den Beiträgen durch Vielfachstreuung an den Elektronen und den thermisch ausgelenkten
Gitteratomen zusammen.