AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...

- 139 -
folgt durch nachträglich eingebaute Belüftungsanlagen und Filterkammern mit
Schwebstoffiltern. In den Labors und dem zugehörigen Gang stellt sich ein Überdruck
von einigen mm WS (Wassersäule) ein. Der Zugang zum Labortrakt erfolgt
über eine Staubschleuse, in der Schuhe und Laborkleidung gewechselt werden. Im
Labortrakt wird abriebfeste Arbeitskleidung aus Dederon getragen. Der Labortrakt
enthält folgende Labors:
Im Chemielabor können die für die Substratvor- und -nachbehandlung erforderlichen
chemischen Arbeitsschritte wie z.B. das Ätzen und Reinigen der Halbleitersubstrate
durchgeführt werden. Dafür stehen u.a. eine Rotationsätzeinrichtung, ein
Arbeitsplatz für das Ätzen, Waschen und Trocknen von Halbleiterscheiben, der in
einer Laminarbox (staubarmer Arbeitsplatz) untergebracht ist, einige Ultraschallwaschanlagen,
eine Quarz-Bidestillationskolonne und eine Wasserdeionisierungsanlage
zur Verfügung.
Im fotolithografischen Labor werden mit Hilfe von Fotomasken und fotolithografischer
Prozesse mit Si02 beschichtete Halbleiteroberflächen bzw. aufgedampfte Metallschichten
strukturiert. In Laminarboxen stehen dafür Einrichtungen zum Beschichten,
Entwickeln, Tempern und Entfernen des Fotolackes sowie eine Justierund
Belichtungseinrichtung zur Verfügung; Damit sind die Si02-Planartechnik, die
Al-Chemigrafie und die Anfertigung von Metallaufdampfmasken aus Cu, Ni, Mo und
Ta mit kleinsten Strukturen von«?10/Um möglich.
Das Aufdampflabor wurde für die Kontaktierung von Halbleitersubstraten und die
Anfertigung spezieller Targets eingerichtet. Dafür stehen kommerzielle Aufdampfanlagen
und eine Laminarbox zur Verfügung. Eine dieser Anlagen ist für die beidseitige
Kontaktierung von Halbleiterscheiben mit AI und Au in einem Vakuumzyklus
ausgerüstet. Mit Hilfe einer Tiefkühlfalle wird während des Aufdampfens ein Vakuum
von sí 5 ' 10" 5 Torr erreicht. Eine andere Aufdampfanlage ist mit einem
Elektronenstrahlverdampfer und drei strahlungsgeheizten Verdampferquellen zur
Herstellung von Mehrfachschichten ausgerüstet. Mit der eingebauten Tiefkühlfalle
wird während des Aufdampfens ein Vakuum á 1 • 10 Torr aufrechterhalten. Für
die Herstellung freitragender Targets und für Hilfsbedampfungen sind weitere
Aufdampfanlagen vorhanden. Alle Anlagen sind mit Schwingquarz-Schichtdickenmeßgeräten
ausgerüstet.
Im Sputterlabor sind die Sputterapparaturen konzentriert, die zum Passivieren
von Halbleiteroberflächen eingesetzt werden. In eine kommerzielle HF-Zerstäubungsapparatur
wurden zusätzliche Elektroden für die Plasmaanodisation eingebaut,
um mit ihr SiO„-Passivierungsschichten mit niedrigen Oberflächenzustands-
ЛЛ
dichten (á 10 ) erzeugen zu können. Eine UHV-Anlage wurde für Experimente zur
Passivierung von Halbleiteroberflächen mit Si02, Si^N^, AlgO-j u.ä. durch Plasmaanodisation
oder reaktiver Zerstäubung eingerichtet.
Die zum Tempern der implantierten Halbleitersubstrate und zum thermischen Passivieren
erforderlichen Einrichtungen wurden im Temperlabor aufgebaut. Es handelt
sich dabei um zwei Schutzgasöfen hoher Temperaturkonstanz für den Temperaturbereich
von « 300 °C bis 1250 °C mit « 55 mm Arbeitsrohrdurchmesser und den dazugehörigen
Gasreinigungs- und Befeuchtungsanlagen. Das Beschicken der Arbeitsrohre
erfolgt in einer Laminarbox. Weiter ist ein trägheitsarmer Vakuumofen mit
«25-mm Rohrdurchmesser für Temperaturen bis «« 800 °C vorhanden.