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AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...

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- 104 -<br />

p<br />

(145 x 145)¿от Gesichtsfeld ca. 65 oL-Spuren ausgezählt werden. Die halbe Halbwertsbreite<br />

des Schattens entspricht mit f4 = d e m nacbL<br />

z u<br />

K]/2<br />

^ erwarten-<br />

den Wert, wenn der Barrett-Faktor mit oC,,(Al) = 0.78 und die Tiefe und Auslenkung<br />

po В<br />

des -emittierenden Si-Compoundkernes berücksichtigt werden. Der geringe Minimumwert<br />

weist auf eine hohe Güte des verwendeten Kristalls hin.<br />

Die verwendeten AI-Kristalle wurden uns vom Zentralinstitut für Festkörperphysik<br />

und Werkstofforschung der AdW, Dresden, zur Verfügung gestellt.<br />

L i t e r a t u r<br />

[1] Barrett, J.H., Phys. Rev. BJ (1971) 1527<br />

4.10. UNTERSUCHUNG DES SCHATTENEFFEKTES.AN A 3<br />

-B 5<br />

-VERBINDUNGEN<br />

V. Geist, R. Flagmeyer und G. Otto<br />

Karl-Marx-Universität Leipzig, Sektion Physik<br />

An einigen binären und ternären A^-B^-Halbleitereinkristallen wurde der Schatteneffekt<br />

vorwiegend bei Raumtemperatur mit Protonen der Energien E =0.5 MeV und<br />

E = 1 MeV untersucht [1]. Bei einem Streuwinkel 120° und einem Detektorabstand<br />

von 280 mm wurde der jeweilige Schatten mit einer Energieauflösung der<br />

Nachweisanordnung von etwa 26 keV abgetastet. Die experimentelle Anordnung ist<br />

in [2] beschrieben. Picraux et al. [3] berichteten über Kanalisierungsexperimente<br />

an binären A -B -Einkristallen mit Heliumionen. Diese Messungen zeigten u.a., daß<br />

derartige Verbindungen ebenso ausgeprägte Kanalisierungseffekte auf'weisen wie<br />

z.B. einkomponentige Si- oder Ge-Kristalle und daß bei Einführung gemittelter<br />

Kristallparameter eine ähnliche Übereinstimmung mit der Theorie erhalten wird.<br />

Entsprechende Ergebnisse sind wegen der Reversibilitätsregel gleichfalls für<br />

Schatteneffektmessungen zu erwarten. Allerdings erfordern derartige Messungen im<br />

Vergleich zu Kanalisierungsexperimenten wesentlich höhere Ladungsmengen pro Meß-<br />

30.<br />

13—-<br />

Z Dim]<br />

J '<br />

/ /<br />

;<<br />

/О<br />

/<br />

/Ь<br />

О •<br />

/<br />

/<br />

/ л<br />

O GaAs 1,0 MeV<br />

О • - qs .<br />

• • 1.0 •<br />

iL GaP 1,0 •<br />

• Q5 ZdF<br />

E<br />

Abb. 1<br />

Normierte Minimumausbeute % als Funktion der reduzierten<br />

Streutiefe und 'Чч/г als Funktion der<br />

Streutiefe z (Abb. 1a) für einige Messungen 4<br />

an<br />

GaAs und GaP<br />

Deshalb war die Maximaldosis,<br />

bei der noch keine meßbare<br />

Veränderung der Schattenkurve<br />

auftritt, für die jeweiligen<br />

Kristalle experimentell zu<br />

bestimmen und in den Experimenten<br />

möglichst nicht zu<br />

überschreiten. Ausgewertet<br />

wurde die halbe Halbwertsbrei-<br />

^ 1/2 urLd normier ' fce<br />

nimale Ausbeute Odder Schatten<br />

als Funktion der Streutiefe z<br />

im Target.<br />

Die erhaltenen Ergebnisse sind<br />

in den Abb. 1 bis 3 dargestellt.<br />

Die durch Extrapolation gewonnenen<br />

Oberflächenwerte<br />

und X(0) wurden mit

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