AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...
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[3] Crowder, В.Lo et al., Appl. Phys. Lett. 16 (1970) 205<br />
[4] Pankove, J.I., Optical Processes in Semiconductors, Hew Jersey 1971<br />
4.24. IOHEUIMPLAUTIERTE Si-DIODEN IN PLANARSTRUKTUR<br />
M. Kunde, J. Matthäi, W.H. Hubrig, A. Zetzsche und К. Hohmuth<br />
Zentralinstitut für Kernforschung Rossendorf, Bereich 2<br />
J. Hüller<br />
Zentralinstitut für Kernforschung Rossendorf, Bereich 3<br />
Abb. 1a,b zeigt die Struktur der implantierten Dioden. In n-Si (Phosphor<br />
16 ^<br />
1-10 cm""^-dotiert) wird die Kreisfläche (1) (4 mm Durchmesser) mit Bor und<br />
der Ring (2) zur Verringerung des Bahnwiderstandes mit Phosphor implantiert. Als<br />
Implantationsmaske dient das fotolithografisch strukturierte, aufgesputterte<br />
Si02.<br />
Zur Kontaktierung wird über den Kontaktfenstern (3) Aluminium aufgedampft,und<br />
nach der Al-Chemiegraphie bleiben die sich auf dem Oxid befindenden Kontaktflä-<br />
chen (4),(5) stehen.<br />
Es wurde eine Reihe Dioden mit nahezu gleichen Eigenschaften hergestellt. In<br />
Abb. 2 sind die Kennlinien für eine typische Diode dargestellt (Implantations-<br />
bedingungen: B-Dosis 5 • Ю 1 4 Atome/cm 2 , 15 keV, P-Dosis 2.5 • 10 1 ^ Atome/cm 2 ,<br />
15 keV, 30 min bei 600 °0 in N2-Schutzgas ausgeheilt, AI-Kontakt 420 °C 15 min<br />
getempert).<br />
AI<br />
17771 S i 0 2<br />
IZ3 Si<br />
1. Implantation<br />
РГСгаа Kontaktimplantatfon<br />
i» 2.Implantation "»P M<br />
Abb. 1 Abb. 2<br />
.Strukturschema der Si-Planarfoto- I-U-Kennlinien der Si-Planarfotodiode<br />
diode in doppelt-logarithmischer<br />
1at Aufriß. Die Ziffern sind im Text bzw. einfach-logarithmischer Darerklärt.<br />
Stellung<br />
1b: Seitenriß mit Profilen
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