AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...
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- 122 -<br />
muß. Die Methode ist außerdem geeignet,Durchbrüche<br />
im Bereich des pn-Uberganges zu lokalisieren.<br />
Abb. 4 zeigt die Überhöhung des Fotoeffekts<br />
durch Trägermultiplikation an einem<br />
Defekt in der implantierten Fläche.<br />
1<br />
a) 0 0.4 0.8 1.2 1.6<br />
X /mm<br />
0.2 04 0.6<br />
X/mm<br />
Abb. 3<br />
Ortsabhängigkeit der relativen Fotoempfindlicbkeit<br />
am Rand einer a) durch einen Si02-<br />
Keil und b) durch eine Metallmaske implantierten<br />
Diode für 0 Y und 20 V Sperrspannung<br />
L i t e r a t u r<br />
[1] Déutscher, M. et al., Jahresbericht <strong>ZfK</strong>-262 (1973) 180<br />
[2] Schüler, W., Rev. Sei. Instr..J8 (1967) 1374<br />
4.27. SILIZIUMDETEKTOREN FÜR EIN RÖNTGENSFEKTROMETER<br />
«JL<br />
implcntertes Gebiet<br />
Г<br />
КолШдеЬеГ<br />
\ I \<br />
- MultipUkationspeak<br />
mit Defekt<br />
0.8 0 2 4 6 8 . 10 12 14<br />
X/ mm<br />
H. Ulrich und U. Lorenz<br />
Zentralinstitut für Kernforschung Rossendorf, Bereich 2<br />
-Us-30V<br />
Rauschen<br />
j<br />
Us-OV<br />
Abb. 4<br />
Nachweis lokaler Durchbrüche.<br />
Die Spitze in der Mitte der<br />
30 V-Kurve wird durch Trägermultiplikation<br />
an einem Defekt<br />
verursacht.<br />
Der Halbleiterdetektor liefert im System eines energiedispersiven Röntgenspektrometers<br />
zwei Beiträge zur Energiehalbwertsbreite. Für ein- System mit Drain-<br />
Feedback wurden diese Beiträge untersucht [1]. Der durch einen Detektorstrom<br />
von 0.1 pA hervorgerufene Rauschanteil beträgt bei 10^us Filterzeitkonstante<br />
45 eV (bezogen auf Si). Er kann gegenüber den anderen Rauschanteilen für alle<br />
Zeitkonstanten
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