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AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN DER DDR ZfK ...

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- 106 -<br />

4.11, KONZENTRATIONSBESTIMMUNG AN A 3 -B 5 -HALBLEITEREINKRISTALLEN MITTELS<br />

PROTONENRÜCKSTREUUNG<br />

R. Flagmeyer und V. Geist<br />

Karl-Marx-Universität Leipzig, Sektion Physik<br />

Zur Bestimmung der Zusammensetzung ternärer Verbindungen A^„^B^C wurde die Rückstreu-Mikroanalyse<br />

eingesetzt. Ahnliche Untersuchungen vmrden z.B. in [1] beschrieben.<br />

An einigen dieser Mischkristalle wurden ionometrische Experimente<br />

(Schatteneffekt) durchgeführt [2] (siehe Bericht 4.10,), für deren Auswertung<br />

die Kenntnis der atomaren Zusammensetzung Voraussetzung war.<br />

Alle Proben wurden mit Protonen der Energie E = 1.5 MeV beschossen («9^ = 150°,<br />

AE Det =<br />

Target.<br />

24 keV). Die Strahlstrommessung erfolgte indirekt über ein rotierendes<br />

Die x-Bes'timmung wurde nach zwei Methoden durchgeführt:<br />

1. Vergleich der Rückatreuausbeuten an den für die einzelnen Elemente charakteristischen<br />

Stufen untereinander. Voraussetzung: Der Beitrag mindestens einer<br />

Komponente im Gesamtrückstreuspektrum ist von denen der anderen Elemente deutlich<br />

zu trennen.<br />

2. Vergleich der Ausbeute im Spektrum der ternären Verbindung mit der im Spektrum<br />

einer "benachbarten" binären Verbindung (x = 0 bzw. x = 1). Eine Trennung<br />

der Komponenten ist nicht erforderlich. Voraussetzung: Exakte Bestimmung der<br />

Ladungsmenge.<br />

Die 1. Methode wurde bei der Analyse von GaAlAs, GaAlSb, GaAlP und GalnP, die<br />

2. Methode bei GalnAs (Vergleichsmaterial GaAs) angewendet. Ausgewertet wurde<br />

stets der oberflächennahe Bereich (Streutiefe z ^ 0.2^um).<br />

Abb. 1<br />

Rückstreuspektrum von Geuj „Al-^As und Verhältnis<br />

der Rückstreuausbeuten in Abhängigkeit von x<br />

(Abb. 1a)<br />

Als Beispiel ist in Abb. 1 das<br />

Rückstreuspektrum von Ga^^l^As<br />

wiedergegeben. Blockierungs- und<br />

Kanalisierungseffekte wurden<br />

sorgfältig ausgeschlossen. Das<br />

Verhältnis der Streuausbeuten<br />

von AI zu GaAs ergibt sich aus<br />

Y(AIx)<br />

Y(üa -|-x As)<br />

(i-x;erGa + & A s<br />

AI . GaAs<br />

sA1<br />

E [MeV) mit S - Rutherford-Streuquerschnitt<br />

und S = S(Ga1__xAlxAs)<br />

- Energieverlustparameter der<br />

jeweiligen Komponenten (vgl.<br />

Abb. 1a).<br />

In Tabelle 1 werden die Ergebnisse zusammengestellt und mit den Resultaten anderer<br />

Messungen an denselben Proben verglichen.

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