Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
Die I(U)-Kennlinie der elektrischen Messung zeigt darin ein Schaltverhalten zwischen
zwei Widerstandszuständen. Die Schaltrichtung ist mit Pfeilen gekennzeichnet. Die
Speicherzelle befindet sich initial im hochohmigen OFF-Zustand (R OFF ~ 100 kΩ). Bei
schrittweiser Erhöhung der Spannung in negative Richtung (negatives Potential auf der
Top-Elektrode) tritt ein Stromsprung von - 45 μA auf - 150 μA bei - 5V auf. Der Strom
wird dabei auf - 150 μA limitiert, um die Zelle vor Zerstörungen durch hohe Ströme zu
schützen. Mit diesem Stromsprung schaltet die Zelle in den ON-Zustand (R ON ~ 30 kΩ).
Das Widerstandsverhältnis liegt dementsprechend bei R OFF /R ON ~ 3. Bei Invertieren der
Spannung zu positiven Werten schaltet die Zelle bei + 5 V wieder in den hochohmigen
ON-Zustand.
Anhand dieser elektrischen Messung wurde die Funktionsfähigkeit des hergestellten
Arrays mit integriertem TiO 2 demonstriert. Die Speicherzellen konnten geschaltet
werden. Ferner wurde somit die erfolgreiche Prozessentwicklung aufgezeigt. Die
entwickelte Nanotechnologie auf Basis der Nanoimprint-Lihtographie kann nun zur
Herstellung Crossbar-basierter Speicher-Architekturen eingesetzt werden. Das erste Ziel
dieser Arbeit, die Bereitstellung einer Integrations-Plattform für sämtliche resistive
Materialien, war damit erreicht.
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