Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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7 DIE MEHRLAGEN-ARCHITEKTUR<br />
Pt/Ag-MSQ/Pt-Zellen (Kapitel 7.2) erfolgen. Es wurden dazu zwei Crossbar-Strukturen,<br />
welche aus drei Metallebenen und zwei resistiven Schichten bestanden, übereinander<br />
gestapelt. Als funktionales Material wurde 20-30 nm dickes, Ag-dotiertes MSQ<br />
verwendet und <strong>die</strong> Elektroden bestanden aus 30 nm hohem Pt. Für <strong>die</strong> Strukturierung<br />
wurde <strong>die</strong> Nanoimprint-Lithographie eingesetzt. Abbildung 7.7 zeigt (links) den Aufbau<br />
des 3D-Crossbars anhand <strong>einer</strong> REM-Aufnahme. In ein Array mit 200 nm Elektroden<br />
wurde ein Fenster mittels FIB geschnitten.<br />
Widerstand [Ω]<br />
1E+8<br />
1E+7<br />
1E+6<br />
1E+5<br />
1E+4<br />
SET<br />
TE - ME<br />
RESET<br />
SET<br />
RESET<br />
U 1<br />
U 2<br />
+<br />
-<br />
+<br />
ME<br />
TE<br />
BE<br />
400 nm<br />
Widerstand [Ω]<br />
1E+3<br />
1E+8<br />
1E+7<br />
1E+6<br />
1E+5<br />
1E+4<br />
1 2 Zeit 3 4<br />
SET<br />
BE - ME<br />
RESET<br />
SET<br />
RESET<br />
1E+3<br />
1 2 Zeit 3 4<br />
Abbildung 7.7: Resistives Schalten in 3D-Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbar-Strukturen. Die linke Seite<br />
zeigt <strong>die</strong> hergestellte Doppellagen-Zelle und <strong>die</strong> schematisch eingezeichnete Verschaltung der<br />
elektrischen Charakterisierung. Die rechte Seite zeigt <strong>die</strong> Widerstandsmessungen der oberen<br />
und unteren Zelle nach den jeweiligen SET- und RESET-Schaltevents. Es konnten beide Zellen<br />
zwischen einem niederohmigen ON-Zustand (~ kΩ) und einem hochohmigen OFF-Zustand<br />
(> 1 MΩ) unipolar geschaltet werden.<br />
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