Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN
Spannung [V]
Spannung [V]
Widerstand [Ω]
4
3
2
1
0
-1
-5 0 5 10 15
Zeit [ns]
3,5
1,75
0
-1,75
-3,5
1E+10
1E+8
1E+6
1E+4
1E+2
1E+0
Spannung [V]
1
0
-1
-2
-3
-4
-15 -10 -5 0 5
Zeit [ns]
0 2 4 6
Zeit
Abbildung 6.14:
Schnelle
Pulsmessungen mit
10 ns Pulsen (oben)
sowie U SET = 3,5 V
und U RESET = -3,5 V.
Nach jedem
Schaltevent (mitte)
wurde der Zustand
der Zelle
quasistatisch mit
einer Spannung von
100 mV gemessen
(unten). Es waren
darin R ON < 1kΩ und
R OFF ≥ 100 kΩ.
Im oberen Teil sind die 10 ns Pulse dargestellt, die mittels Oszilloskop aufgenommen
wurden. Der mittlere Bereich zeigt die zeitliche Abfolge der SET- und RESET-Pulse.
Der untere Teil der Grafik stellt die Widerstandszustände dar, die nach den einzelnen
Schaltpulsen aufgenommen wurden.
Nach einem Formierungsschritt wurde die Zelle in den R OFF = 1 MΩ geschaltet. Durch
einen positiven Spannungspuls befand sich die Zelle anschließend im ON-Zustand
(~ 500 Ω). Mit einem negativen Puls konnte der Widerstandswert zurück in einen
hochohmigen Bereich (> 100 kΩ) gebracht werden. Dieses Schalten konnte
anschließend weitere Male reproduzierbar durchgeführt werden.
Das Experiment zeigt das Potential der realisierten 100 nm x 100 nm Pt/MSQ/Ag-
Zellen für die Anwendung als schneller Speicher, der somit u. a. im Vergleich zu Flash
konkurrenzfähig werden kann [130].
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