Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN
250 nm 250 nm
Abbildung 4.25:
Ätzprofil nach einem Ätzprozess mit
einem CF 4 /Ar-Gemisch (1:1 @ 10 sccm),
U B = 450 V und I B = 125 mA.
Abbildung 4.26:
Ätzprofil nach einem Residual-Ätzprozess mit
einer Proben-Kühlung von -10°C, U B = 450 V,
I B = 125 mA und 10 sccm CF 4 .
Eine weitere Möglichkeit den chemischen Ätzanteil zu reduzieren, bietet die Kühlung
der Probe [117]. Dadurch können tendenziell die lateralen Strukturverluste des Lacks
reduziert werden, da die chemische Reaktionsgeschwindigkeit an den Seitenwänden der
Struktur durch niedrigere Ätztemperaturen verringert wird. Abbildung 4.26 zeigt das
Resultat eines Residual-Ätzprozesses mit einer Probentemperatur von -10°C in einem
rein chemischen CF 4 -Prozess.
Die schrägen Kanten der Strukturen weisen darauf hin, dass in einem Ätzprozess mit
verringerter Temperatur der chemische Ätzanteil reduziert werden konnte, da dieses
Kantenprofil aus einer eher dominanteren Sputterkomponente resultiert (vgl.
Abbildung 4.20 a). Es könnten zwar laterale Strukturverluste verringert werden, doch
impliziert das Verfahren der Probenkühlung unerwünscht schräge Kantenprofile,
welche eher durch die Verwendung des optimalen Gasgemisches bei +15°C
Prozesstemperatur zu vermeiden sind (vgl. Abbildung 4.25).
Wird ein Doppellagen-Lacksystem verwendet, wie es in Kapitel 4.2.2 beschrieben
wurde, so muss zunächst der Residual-Layer des Top-Lacks entfernt werden, um
anschließend den Underlayer-Lack zu strukturieren. Abbildung 4.27 zeigt den Verlauf
der Ätzprozedur. Abbildung 4.27 a) stellt darin das Zweilagen-Lacksystem nach dem
Imprint dar. Der UV-Lack besteht wie zuvor aus NXR-2010, sodass dessen Residual-
Layer in dem standardisierten CF 4 -Prozess entfernt wird, bis der Underlayer-Lack in
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