Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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7 DIE MEHRLAGEN-ARCHITEKTUR<br />
In dem ersten Experiment wurde eine fertig gestellte Pt/MSQ/Ag-Probe <strong>für</strong> 5 min auf<br />
450°C unter N 2 -Atmosphäre erhitzt. Das Ag diffun<strong>die</strong>rte dabei in <strong>die</strong> MSQ Schicht,<br />
wodurch <strong>die</strong> Top-Elektrode an der Oberfläche partiell verschwand (vgl. Abbildung 7.2).<br />
Anschließend wurde <strong>die</strong> Top-Elektrode mit Ag übermetallisiert, strukturiert und somit<br />
erneuert. Eine dotierte Pt/Ag-MSQ/Ag-Zelle war hergestellt. Diese Zellen wurden<br />
anschließend mittels quasistatischer, elektrischer Messungen charakterisiert. Eine<br />
typische I(U)-Kurve ist in Abbildung 7.3 dargestellt. Diese wurde an <strong>einer</strong> 2 x 3 µm 2 -<br />
Zelle aufgenommen, <strong>die</strong> mittels optischer Lithographie und Lift-Off-Verfahren<br />
hergestellt wurde.<br />
Ag<br />
Pt<br />
2500 nm<br />
Strom [mA]<br />
0,2<br />
0<br />
-0,2<br />
-0,4<br />
-0,6<br />
-0,8<br />
-1<br />
-1,2<br />
-0,2 0 0,2 0,4<br />
Spannung [V]<br />
Abbildung 7.2: Zerstörung der Ag-Top-<br />
Elektrode durch Temperaturbehandlung.<br />
Abbildung 7.3: Resistives Schalten <strong>einer</strong><br />
Ag-dotierten Pt/Ag-MSQ/Ag-Zelle.<br />
Es ist zu erkennen, dass auch <strong>die</strong> dotierten Zellen resistives Schalten zeigten. Allerdings<br />
waren deutliche Unterschiede zu den undotierten Zellen zu beobachten. Auf der einen<br />
Seite fand bei den Pt/Ag-MSQ/Ag-Zellen kein eindeutiger Formierungs-Prozess statt,<br />
da es während des ersten, initialen Schaltvorgangs k<strong>einer</strong> signifikant höheren Spannung<br />
bedarf. Die Zellen schalteten initial bereits zwischen 0,1 V und 0,6 V. Auf der anderen<br />
Seite waren <strong>die</strong> Ausschaltströme deutlich höher als bei den undotierten Zellen. Der<br />
maximale Ausschaltstrom wurde hier auf -1 mA begrenzt, sodass <strong>die</strong> Struktur nicht<br />
zerstört wurde. Die hohen Ausschaltströme deuten auf einen unipolaren<br />
Schaltmechanismus hin, welcher im Wesentlichen durch das Limitieren des maximalen<br />
Stromes durch <strong>die</strong> resistive Zelle gesteuert wird (vgl. Kapitel 3). Unipolares Schalten ist<br />
auch aus der Literatur an Cu-dotierten SiO 2 -Strukturen bekannt [69]. Der Versuch <strong>die</strong><br />
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