Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
a)
800 nm
Abbildung 5.15: Crossbar-
Arrays ohne Planarisierung
mit Bottom-Elektroden von
30 nm Höhe (a) und 15 nm
Höhe (b).
b)
450 nm
5.6 Das Crossbar-Array als Integrations-Plattform
Die Funktionalität von Crossbar-Strukturen mit planarisierten Bottom-Elektroden sollte
anhand eines Experiments überprüft werden, in dem eine funktionale TiO 2 -Schicht in
ein Array integriert wurde. TiO 2 ist als schaltbares Material bekannt und wird in
Hinblick auf die Anwendung als zukünftiges Speichermaterial untersucht [52, 65, 109].
Dementsprechend war es das Ziel durch die elektrische Charakterisierung der TiO 2 -
Crossbars eine Aussage über den Erfolg der entwickelten Herstellungstechnologie (auf
der Basis der Nanoimprint-Lithographie) treffen zu können.
Die Herstellung der 30 nm hohen Pt-Bottom- und Pt-Top-Elektroden erfolgte dazu
analog zur Beschreibung in Kapitel 5. Vor der Realisierung der Top-Elektroden wurde
dabei allerdings eine 30 nm dicke TiO 2 -Schicht abgeschieden. In Abbildung 5.16 ist
schematisch das hergestellte Pt/TiO 2 /Pt-Crossbar (a) und der Querschnitt einer
Pt/TiO 2 /Pt-Einzelzelle (b) dargestellt.
Für die Charakterisierung der Arrays wurden elektrische Messungen mit einem Agilent
B1500A Semiconductor Analyser durchgeführt. Dabei wurden Messnadeln auf die
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