Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
Durch die Belichtung werden die Polymerketten des UV-empfindlichen Photolacks
aufgebrochen und können in einem Entwickler gelöst werden (Abbildung 5.12 b). Der
unbelichtete Lack wird durch den Entwickler nicht angegriffen. Die Probe wird nun
ganzflächig mit Metall bedampft (Abbildung 5.12 c). Dabei scheidet sich das Metall an
den freientwickelten Stellen direkt auf der Probe ab. In einem Lösungsmittelbad kann
anschließend der restliche Lack entfernt werden (Abbildung 5.12 d). Mit ihm wird der
Metallanteil entfernt, welcher auf den Lackstrukturen und somit nicht direkt auf der
Probenoberfläche deponiert wurde.
Mit Hilfe des Lift-Off-Prozesses wurden die Zuleitungen und die Kontaktflächen von
Bottom-Elektroden realisiert. Dazu wurden zunächst Proben verwendet, bei denen der
Imprint mit dünnem UV-Lack durchgeführt wurde, die Peripherie also lediglich
unzureichend existierte (vgl. Kapitel 4.2.3, Abbildung 4.17). Die defektbehafteten
Zuleitungen wurden infolgedessen mit einer 50 nm dicken Pt-Schicht übermetallisiert.
In einer Alignment-Prozedur wurden dazu die Zuleitungsstrukturen der Lift-Off-Maske
über die Zuleitungen der Bottom-Elektroden gelegt. Die Lift-Off-Maske enthielt darin
die Kontaktflächen und die Zuleitungsstrukturen ab einer Breite von 20 μm. Somit
wurde die Peripherie nicht direkt bis an die Nanoleitungen übermetallisiert, sondern nur
zum Teil erneuert (Abbildung 5.13).
erneuerter Peripheriebereich
0,5 mm
Abbildung 5.13
REM-Aufnahme einer
Bottom Elektrode,
deren Zuleitungsperipherie
partiell in
alternativer
Herstellungsweise
realisiert wurde.
Die Funktionalität der Leiterbahnen konnte anhand von Widerstandsmessungen
nachgewiesen werden. Abbildung 5.14 zeigt einen Vergleich der Bottom-Elektroden,
die in einem Standard-Prozess hergestellt wurden, zu denen, welche mit einer
alternativen Zuleitungsperipherie realisiert wurden. Ein 8 bit-Elektroden-Layout mit
84