Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
Arrays.
Abbildung 5.10 zeigt anhand von Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen die Resultate
hergestellter Crossbar Strukturen. Darin ist in Abbildung 5.10 a) zunächst ein Array mit
einem Half-Pitch von 200 nm dargestellt. Anhand dieser Aufnahme verdeutlicht sich
die Effizienz des Planarisierungsschrittes bei der Herstellung der Bottom-Elektroden.
Die Top-Elektroden zeigen keinen Ansatz von Stufen oder ähnlichen Artefakten, die
durch eine unebene Bottom-Oberfläche entstehen würden (siehe Kapitel 5.5) [106].
30 nm
a)
c)
200 nm
1000 nm
500 nm
b)
Abbildung 5.10:
Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen
verschiedener Crossbar-Strukturen:
a) Crossbar-Array mit 200 nm Half-
Pitch und stufenlosen Top-Elektroden
aufgrund des Planarisierungsschrittes,
b) Teststrukturen von Einzel-Kreuzen an
denen die Realisierbarkeit von 30 nm
Strukturen gezeigt werden konnte,
c) Crossbar-Array mit einem Half-Pitch
von 50 nm, welches durch Verringerung
der Lackdicke des Imprint-Prozesses
hergestellt werden konnte
Anhand von Teststrukturen unterschiedlicher Linienbreiten wurde die Auflösung,
welche mit dem Herstellungsprozess realisiert werden konnte, demonstriert
(Abbildung 5.10 b). Es konnten Linienbreiten und damit Single-Cross-Strukturen bis zu
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