Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
als Planarisierungsmaterial, welches die Auffüllung der Elektrodenzwischenräume
bewirkte.
UV-Lack
Pt
Pt
a)
500 nm
Lack
b)
250 nm
c)
250 nm
Abbildung 5.2:
Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen
verschiedener Prozessfortschritte bei der
Herstellung von Bottom-Elektroden:
a) Lackstrukturen auf der Pt-Schicht
nach der Nanoimprint-Lithographie,
b) Lackstrukturen nach Entfernen des
Residual-Layers in einem CF 4 -Prozess,
c) Pt-Bottom-Elektroden mit einer
Linienbreite und einem Half-Pitch von
50 nm nach der Strukturierung in einem
Ar-RIBE-Prozess.
Das MSQ wurde mit einer Schleuderrate von 2000 rpm in 30 s auf den Wafer
aufgeschleudert (Abbildung 5.3 b). Danach wurde die Probe in drei Schritten, 80°C,
150°C und 250°C, je 2 min lang aufgeheizt. Dadurch wurde zum einen zunächst die
Fließfähigkeit des Materials zur Planarisierung unterstützt und zum anderen der
Lösungsmittelanteil verdampft. Um ein vollständiges Vernetzen des MSQ zu bewirken,
musste die Probe in einem abschließenden Prozess 60 min in Stickstoffatmosphäre mit
einer Temperatur von 425°C ausgeheizt werden.
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