Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN
mit Werten aus der Literatur vergleichbar, die an amorphen SiO 2 -Strukturen mit Cu-
Top-Elektrode erfasst wurden [128]. In dieser Arbeit wurde sich für die geringeren
Spannungen und damit generell für die Verwendung von Ag-Top-Elektroden
entschieden. Ferner war die Herstellung von Cu-Elektroden mittels Nanoimprint-
Lithographie zunächst nicht möglich. Da die Imprint-Anlage in einem CMOS-Reinraum
installiert wurde, in dem die Gefahr der Cu-Kontamination besteht, war die
Prozessierung von Cu-beschichteten Wafern hier nicht möglich.
Anzahl der Bauelemente [%]
30
25
20
15
10
5
0
0 0.5 1 1.5 2
U FORM [V]
a)
Abbildung 6.5: Statistische Auswertung
der
a) Formierspannung,
b) SET-Spannung,
c) RESET-Spannung,
anhand einer Testreihe mit 73 von 125
funktionsfähigen 100 nm x 100 nm
Crossbar-Strukturen (58,4 % Ausbeute).
Anzahl der Bauelemente [%]
30
25
20
15
10
5
0
0 0.5 1 1.5 2
U ON [V]
Anzahl der Bauelemente [%]
30
25
20
15
10
5
0
0 -0.5 -1 -1.5 -2
U OFF [V]
b)
c)
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