Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
war. Einige Lacke zeigten jedoch auch unter der Verwendung von Haftvermittlern<br />
ungenügende Haftungseigenschaften auf 100 mm Wafern, welche mit Platin beschichtet<br />
waren (mr-UVCur06 und mr-UVCur21 Microresist Technology GmbH). Außerdem<br />
wurden teils unzureichende Übertragungseigenschaften während des Residual-Ätzens<br />
mittels RIBE festgestellt (AMONIL Amo GmbH).<br />
Ein zufrieden stellendes Haftungs- und Ätzverhalten auf 100 mm Pt-beschichteten<br />
Wafern bot der UV-Lack der Firma Nanonex NX-2010. Dieser kann als<br />
Zweilagensystem (Bilayer-Resist-Coating) oder in Kombination mit einem<br />
Haftungsvermittler (Ti-Prime der Firma MicroChemicals GmbH) aufgeschleudert<br />
werden. Für das Zweilagensystem wird zunächst ein 200 nm Underlayer-Lack<br />
aufgetragen, der als Transferschicht <strong>für</strong> nachfolgende Prozesse <strong>die</strong>nt. Der Underlayer-<br />
Lack ist ein PMMA, welcher zum einen als Ätzmaske verwendet werden kann, da<br />
neben dessen relativ hoher Schichtdicke <strong>die</strong> Chemiebeständigkeit in<br />
Trockenätzverfahren (vor allem gegen Fluorchemie in der Siliziumstrukturierung) als<br />
Vorteil gilt. Zum anderen kann der Underlayer-Lack in organischen Lösungsmitteln<br />
gelöst werden, so dass Lift-Off-Prozesse mit Hilfe des PMMAs möglich sind.<br />
Bei der Verwendung des Haftvermittlers Ti-Prime wird keine zusätzliche<br />
Transferschicht aufgetragen. Hier <strong>die</strong>nt lediglich der UV-Lack z.B. als Ätzmaske in den<br />
nachfolgenden Prozessschritten, welches <strong>die</strong> Ätztiefen jedoch aufgrund der geringeren<br />
Lackdicke und der geringeren Selektivität (vor allem in Fluorprozessen) limitiert. Im<br />
Verlauf der Versuchsreihe stellte sich <strong>die</strong>ser Prozess durchaus als gute Alternative <strong>für</strong><br />
<strong>die</strong> Herstellung von Nanoelektroden der Crossbar-Arrays heraus und wurde damit als<br />
Standard eingeführt (siehe Kapitel 4.2.5).<br />
Das Beschichten der Wafer <strong>für</strong> den UV-Imprint bestand zunächst darin, den Ti-Prime<br />
aufzuschleudern und auszuheizen, um eine Haftschicht von wenigen Nanometern Dicke<br />
entstehen zu lassen. Anschließend wurde der UV-Lack NX-2010 aufgeschleudert.<br />
Dieser wird nicht ausgeheizt, da dessen Fließfähigkeit während des Imprint-Prozesses<br />
erhalten beleiben muss. Die Lackdicke kann über <strong>die</strong> Drehzahl und <strong>die</strong> Beschleunigung<br />
der Schleuder eingestellt werden (siehe Abbildung 4.14). Dabei werden bei einem<br />
dreiprozentigen Feststoffgehalt des NX-2010 Schichtdicken zwischen ca. 200 nm und<br />
80 nm erzielt (y-Achse Abbildung 4.14). Die Drehzahl wird stets in „rounds per<br />
minute“ [rpm] und <strong>die</strong> Beschleunigung in „rounds per minute per second“ [rpm/s]<br />
angegeben (x-Achse und Inset Abbildung 4.14).<br />
Neben der Reduzierung der Lackdicke durch Erhöhung von Drehzahl und<br />
Beschleunigung können dünnere Lackschichten durch Verdünnung des Lacks mit einem<br />
Lösungsmittel erreicht werden. Durch <strong>die</strong> Beimischung von Methylmethacrylat (MMA<br />
C 5 H 8 O 2 ) wird der Feststoffgehalt des Lacks verringert. Mit Hilfe der Verdünnung des<br />
UV-Lacks (z.B. NX2010 : MMA → 1 : 2 → 1 % Feststoffgehalt) konnten Lackdicken<br />
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