Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN
(Abbildung 6.2 c).
Zur Überprüfung der Funktionalität hergestellter Mikro- und Nanostrukturen wurden
elektrische Messungen durchgeführt. Dazu wurde ein Agilent B1500A Semiconductor
Device Analyser in Kombination mit einer halbautomatischen „Probestation“ der Firma
Süss Microtec eingesetzt. Die Probestation wurde zur Kontaktierung der Bauelemente
mit Hilfe von Messnadeln verwendet. Dabei wurden die Wolfram-Messnadeln mit
einem Spitzenradius von ~ 5 μm auf die Kontaktflächen (100 μm x 100 μm) der
Crossbar-Strukturen abgesetzt. Der Probentisch sowie ein Nadelarm konnten über den
Steuerungsrechner automatisch verfahren werden.
Es wurden zunächst quasistatische Messungen sowohl an Mikro- als auch an den Nano-
Einzelkreuzstrukturen durchgeführt (siehe Abbildung 6.3 a).
Top
a)
Bottom
2500 nm
Abbildung 6.3:
a) Einzelkreuzstruktur
100 nm x 100 nm,
b) I(U)-Kennlinie einer quasistatischen
Messung an einer 3 μm x 3 μm
Einzelkreuzstruktur,
c) I(U)-Kennlinie einer quasistatischen
Messung an einer 100 nm x 100 nm
Einzelkreuzstruktur. Die Schalt-richtung
ist durch Pfeile gekennzeichnet.
100
100
Strom [μA]
50
0
-50
Strom [μA]
50
0
-50
-100
-0.5 0.5
Spannung [V]
1.5
b)
-100
-1 0 1 2
Spannung [V]
c)
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