Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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3 RESISTIVES SCHALTEN<br />
nicht nur in den Laboratorien von Hewlett Packard <strong>die</strong> Arbeiten zur Integration<br />
resistiver Elemente in Crossbar-Architekturen.<br />
RRAM ist anhand <strong>einer</strong> Vielzahl von Indizien eine viel versprechende Alternative <strong>für</strong><br />
zukünftige Speicherkonzepte, unabhängig davon, ob eine passiv oder aktiv basierte<br />
Architektur zur Grundlage gelegt wird. Die Performance der resisitiv schaltenden<br />
Materialien überzeugt dabei mit Schaltzeiten von 10 ns, Schreib- und Lesezyklen von<br />
bis zu 10 12 oder <strong>einer</strong> Zustandsstabilität von 10 Jahren [96 - 98, 75], wodurch RRAM in<br />
der wissenschaftlichen und anwendungsorientierten Forschung großes Interesse<br />
geweckt hat.<br />
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