Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 Herstellung von Crossbar-Strukturen<br />
Die Herstellung der Crossbar-Strukturen bestand im Wesentlichen aus vier<br />
Teilschritten: Der Realisierung von Bottom-Elektroden, der anschließenden<br />
Planarisierung der Oberfläche, der Abscheidung des resistiv schaltenden Materials und<br />
der abschließenden Herstellung von Top-Elektroden. Die Herstellung der Top-<br />
Elektroden bedingt dabei eine Alignment-Prozedur vor der Durchführung des Imprints,<br />
in dem <strong>die</strong> Elektroden-Strukturen des Stempels orthogonal zu den Bottom-Elektroden<br />
ausgerichtet wurden.<br />
Die Planarisierung <strong>einer</strong> bereits strukturierten Probenoberfläche stellte sich im Verlauf<br />
<strong>die</strong>ser Arbeit als notwendig heraus, um einen weiteren Top-Imprint erfolgreich<br />
durchführen zu können. Probleme, welche durch das Fehlen eines Planarisierungsschrittes<br />
entstehen, werden anhand des Crossbar-Prozesses dargestellt.<br />
Im Folgenden werden <strong>die</strong> Teilschritte der Crossbar-Herstellung detailliert beschrieben.<br />
Dabei soll allerdings auf <strong>die</strong> Abscheidung des funktionalen Materials zunächst<br />
verzichtet werden, da <strong>die</strong>se <strong>für</strong> verschiedene Materialien in unterschiedlichen Verfahren<br />
ausgeführt werden kann. Es soll ferner <strong>die</strong> Herstellung der Crossbar-Architektur als<br />
Basisplattform vorgestellt werden, in der sämtliche, resistive Elemente integrierbar sind.<br />
5.1 Herstellung der Bottom-Elektroden<br />
Für <strong>die</strong> Herstellung der Bottom-Elektroden wurden 100 mm Si-Wafer als<br />
Substratmaterial verwendet. Die Oberfläche der Wafer wurde in einem Nassverfahren<br />
oxi<strong>die</strong>rt, sodass eine ~ 450 nm dicke SiO 2 -Schicht entstand. Auf der Oxidschicht wurde<br />
anschließend <strong>die</strong> Metallschicht abgeschieden, aus der später durch Strukturierungsmaßnahmen<br />
<strong>die</strong> Elektroden generiert wurden. Die Metallschicht bestand standardmäßig<br />
aus <strong>einer</strong> 30 nm-dicken Pt-Lage, <strong>die</strong> auf zuvor abgeschiedenem TiO 2 deponiert wurde.<br />
TiO 2 <strong>die</strong>nte dabei als Haftvermittler des Pt auf der SiO 2 -Oberfläche.<br />
Die Strukturierung des Pt erfolgte durch einen UV-Nanoimprint Schritt und<br />
anschließendem RIBE-Prozess [116]. Dazu wurde zunächst ein Haftvermittler (Ti-<br />
Prime) und dann der UV-härtende Imprint-Lack (NXR-2010, 1,5 % Feststoffgehalt) mit<br />
3000 rpm und 60 sec auf <strong>die</strong> Probe aufgeschleudert (Abbildung 5.1 a). In dem UV-<br />
Imprint Prozess wurde der niedrig viskose Lack unter einem Druck von 550 psi mit<br />
Hilfe des Glasstempels <strong>für</strong> 6 min geformt (Abbildung 5.1 b). Die Härtung des Lacks<br />
geschah unter vierminütiger UV-Belichtung. Nach dem Imprint wurden Stempel und<br />
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