Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
a)<br />
500 nm<br />
b)<br />
500 nm<br />
Abbildung 4.30: Pt-Strukturen nach dem Ar-Sputterätzen: a) Auswirkung des Fencing nach<br />
entfernen der Lackmaske, b) Reduzierung der Fencing-Strukturen durch 10°-Winkel-Ätzen.<br />
Metallreste von den Lackkanten zu entfernen, wurde <strong>die</strong> Probe unter sehr flachem<br />
Winkel geätzt. Hierin <strong>die</strong>nte eine 10° Verkippung der Probe zum Ionenstrahl der<br />
Realisierung flacher Ätzwinkel. Um eine Gleichmäßigkeit des Ätzabtrags zu<br />
gewährleisten, rotierte der Probenhalter mit 10 rpm. Nach dem Anti-Fencing-Prozess<br />
wurde der Lack von der Oberfläche der Metallstrukturen entfernt und es entstanden<br />
gleichmäßig strukturierte Leiterbahnen ohne Rabbit-Ears, wie sie in Abbildung 4.30 b)<br />
dargestellt sind.<br />
Substrat<br />
10 rpm<br />
Ar +<br />
10°<br />
Abbildung 4.31:<br />
Reduzierung der<br />
Fencing-<br />
Strukturen durch<br />
Ätzprozesse unter<br />
sehr flachen<br />
Winkeln.<br />
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