Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
unterschiedlich lang ausfallen. Wie in Abbildung 4.12 dargestellt, bildet der Array-Rand
eine Dreiecksform aufgrund verschieden langer Nanoleitungen im Zentrum. Diese Form
war notwendig, um die Zuleitungsperipherie in definierten Winkeln vom Zentrum nach
Außen (zu den Kontaktflächen) möglichst Platz sparend zu führen.
Die Kenntnis der Leitungswiderstände war für die spätere Anwendung der Crossbar-
Arrays als Architektur-Plattform resistiver Speicher von Bedeutung, um Speicherzellenwiderstände
von denen der Elektroden differenzieren zu können.
5.4 Alternative Herstellung der Zuleitungsperipherie
Wie in Kapitel 4.2.3 erwähnt wurde, birgt das Nanoimprint-Verfahren das Risiko, bei
der Herstellung von Elektroden im sub-50 nm Bereich, die Zuleitungen und die
Kontaktflächen der Crossbar-Arrays zu verlieren. Demzufolge werden bei sehr kleinen
Arrays entweder zusätzliche Imprint-Schritte oder alternative Verfahren zur Herstellung
der Zuleitungsperipherie benötigt.
Eine alternative Möglichkeit bietet die Realisierung der Leiterbahnen mittels optischer
Lithographie und Lift-Off-Technik. Abbildung 5.12 stellt den Prozessverlauf des
Verfahrens dar.
UV
Maske
Lack
Substrat
a) b)
c) d)
Abbildung 5.12: Herstellungsprozess alternativer Zuleitungen mittels
optischer Lithographie und Lift-Off-Technik.
Ein belacktes Substrat wird durch eine mit Chrom strukturierte Lithographiemaske
belichtet (Abbildung 5.12 a). Die Flächen des Lacks, welche sich nicht unter einer
Chromschicht der Maske befinden, können durch die UV-Strahlung erreicht werden.
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