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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

Anhang -

Anhang - Prozessparameter Elektronenstrahl-Lithographie Lack : Allresist PMMA – AR-P 641.04 (200K) 30 s @ 4000 rpm, 2 min @ 180°C Dosis : 500 μC/cm 2 Schrittweite : 5 nm Strom : 1 nA Entwicklung : 60 s in AR-600 55 + 3 min in Isopropanol (Entwicklungsstopp) UV-Nanoimprint-Lithographie Haftvermittler : Ti-Prime (MicroChemicals) 60 s @ 3000 rpm, 2 min @ 120°C Lack : NXR2010 + Methylmethacrylat (1:1), Feststoffgehalt 1,5 % 60 s @ 3000 rpm, Kein Ausheizen UV-NIL Abpumpen : 20 sec Pre-Imprint : 100 psi Main-Imprint : 550 psi Imprint-Zeit : 10 min darin, enthalten 4 min Belichtungszeit Temperatur : Raumtemperatur Methyl-Silsesquioxan MSQ : Accuglass T111, Honeywell Aufschleudern : 30 s @ 2000 rpm Ausheizen : jeweils 2 min @ 80°C + 150°C + 250°C Härten : 60 min @ 425°C unter N 2 (Rapid Thermal Annealing) Lagerung : Kühlschrank 8 – 12°C Aufwärmen : mind. 90 min auf Raumtemperatur vor der Verarbeitung 125

Reaktives Ionenstrahl-Ätzen Metalle Gas : 10 sccm Ar RF-Power [W] : ~165 (300) Beam-Current [mA] : 125 (125) Beam-Voltage [V] : 446 (450) Accelaration-Voltage [V] : 187 (187) Neutralisation-Current [mA] : 152 (150) FBN-Ar : 5 sccm Cooling : 15°C Rotation : 10 rpm Angle : 0° bzw. -80° für Antifencing SiO 2 -based Gas : 10 sccm CF 4 RF-Power [W] : ~185 (300) Beam-Current [mA] : 125 (125) Beam-Voltage [V] : 446 (450) Accelaration-Voltage [V] : 180 (180) Neutralisation-Current [mA] : 152 (150) FBN-Ar : 5 sccm Cooling : 15°C Rotation : 10 rpm Angle : 0° (Sollwert) 126