Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN
Formierungsspannungen sowie die SET-Spannungen und die RESET-Spannungen an
800°C geheizten MSQ-Schichten mit der gleichen Vorgehensweise wie in Kapitel 6.1
untersucht. Die statistischen Auswertungen der Messungen wurden dann mit denen
verglichen, die an konventionell hergestellten MSQ-Schichten (bei 425°C) erstellt
wurden. Abbildung 6.10 stellt die Ergebnisse der Messreihe an 800°C geheizten MSQ-
Schichten dar.
Anzahl der Bauelemente [%]
14
12
10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5
U FORM [V]
a)
Abbildung 6.10:
Statistische Auswertung der
a) Formierungsspannung,
b) SET-Spannung,
c) RESET-Spannung,
anhand einer Testreihe mit 77 von 125
funktionsfähigen 100 nm x 100 nm
Crossbar-Strukturen (61,6 % Ausbeute),
bei denen die MSQ-Schicht bei 800°C
ausgeheizt wurde.
Anzahl der Bauelemente [%]
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2
U ON [V]
Anzahl der Bauelemente [%]
40
30
20
10
0
0 -0.5 -1 -1.5 -2
U OFF [V]
b)
c)
Es waren 77 der 125 Zellen funktionsfähig, was einer ähnlichen Ausbeute von 61,6 %
im Vergleich zu den Standard-Bauelementen entsprach. Die breitere Verteilung der
Formierungsspannung der Abbildung 6.10 a) unterschied sich hingegen deutlich von der
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