Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
wurden gleichzeitig mit den Bottom-Elektroden hergestellt und bestanden demzufolge
aus 30 nm hohem Pt. Die Marker des Stempels waren, wie auch die Elektroden-
Strukturen, in den Glaswafer geätzt (vgl. Kapitel 4.2.1).
Abbildung 5.8:
Optische
Mikroskopaufnahme
der Alignment-
Marker nach der
Nanoimprint-
Lithographie.
Anhand der Moiré-Strukturen konnte ein Versatz der Strukturen zueinander von
~ 200 nm gemessen werden. Dies entsprach zugleich der maximalen
Positionierungsgenauigkeit einer Top-Lage auf einer vorhandenen Struktur mit Hilfe
des verwendeten Systems und der entworfenen Marker.
Die ermittelte Positionierungs-Genauigkeit von < 500 nm war aufgrund des
Elektrodenlayouts für eine erfolgreiche Herstellung von Crossbar-Arrays ausreichend.
Im Stempellayout wurde eine Alignment-Toleranz von 5 μm vorgesehen. Diese
Toleranz ergab sich aus der Distanz, welche zwischen dem Nano-Array und dem
Beginn der abgewinkelten Zuleitungsperipherie bei einem exakten Alignment im
Layout vorgesehen wurde (siehe Kapitel 4.2.1, Abbildung 4.12).
5.3 Herstellung der Top-Elektroden
Für die Herstellung der Top-Elektroden wurden im Wesentlichen zwei Metalle benötigt.
Bei der Realisierung von Crossbar-Elementen, bei denen inerte Metalle erfordert waren,
diente 30 nm dickes Pt als Elektrodenmaterial. Dies war beispielsweise bei der
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