Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN
200 nm breiten Pt-Leiterbahnen diente als Basis.
Widerstand [kOhm]
4
3
2
1
0
Standard-Prozess
Peripherie Lift-Off
1 2 3 4 5 6 7 8
Elektrode
Abbildung 5.14:
Widerstandsmessungen
an Pt Bottom-Elektroden,
die zum einen in einem
Standard-Prozess
hergestellt wurden und
zum anderen, alternativ
dazu, mit einem
Peripherie-Lift-Off-
Prozess realisiert wurden.
Alle Leitungen waren hierin funktionsfähig. Es stellte sich zudem heraus, dass die
Widerstandswerte der standardisierten Elektroden um ~ 400 Ω höher lagen als die, bei
denen die alternative Zuleitung mit 50 nm Dicke nahezu die zweifache Höhe betrug.
Der relativ geringe Widerstandsunterschied begründete sich anhand der lediglich
partiell realisierten, alternativen Peripherie. Der Einfluss der Zuleitung einer Breite
> 20 μm auf den Gesamtwiderstand ist demzufolge zwar nicht dominant, doch zeigt die
Widerstandsminderung um durchschnittlich 12 %, dass mittels alternativer Peripherie
der Gesamtwiderstand der Elektrode tendenziell verkleinert werden kann. Dies wäre
beispielsweise für elektrische Messungen im hochfrequenten Bereich durchaus von
Vorteil, da die RC-Zeiten der Leiterbahnen reduziert würden. Die erfolgreiche
Herstellung der Zuleitungsperipherie zeigt folglich, neben der generellen
Durchführbarkeit des Lift-Off-Verfahrens, die Möglichkeit der Leitungswiderstandsverringerung,
welches gleichzeitig eine Steigerung der Leitungs-Performance bedeutet.
Top-Elektroden und somit Crossbar-Arrays konnten mit diesem Verfahren im Rahmen
dieser Arbeit nicht realisiert werden. Die Notwendigkeit eines neuen Maskendesigns,
welches die erfolgreiche Durchführung eines Top-Imprints ausmachte, ging über den
Rahmen des beschriebenen Versuchs hinaus. Es sollte an dieser Stelle die Machbarkeit
des Verfahrens demonstriert werden.
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