Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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4.11 : 100 mm SiO 2 -Wafer <strong>für</strong> <strong>die</strong> Stempelherstellung<br />
4.12 : CAD-Layout der Elektrodenstrukturen <strong>für</strong> Crossbar-Array-<br />
Architektruren<br />
4.13 : Lackabdruck: Versatz der abzubildenden Struktur bei einem<br />
thermischen Imprint-Prozess<br />
4.14 : Aufschleuderkurve des NX-2010<br />
4.15 : Messungen von initialer Lackdicke nach dem Aufschleudern und des<br />
Residual-Layers<br />
4.16 : Residual-Layer-Verteilung nach dem Breakthrough-Etch<br />
4.17 : Unvollständig gefüllte Kontaktflächen und Zuleitungen<br />
4.18 : Füllungseffizienz des Imprint-Stempels in Abhängigkeit der zu<br />
füllenden Peripheriefläche<br />
4.19 : Füllungseffizienz in Abhängigkeit des Feststoffgehaltes des UV-Lacks<br />
4.20 : Ätzmechanismen<br />
4.21 : Pt-Teststrukturen nach dem Ar-Sputterätzen<br />
4.22 : SiO 2 -Teststrukturen nach dem CF 4 -Ätzprozess<br />
4.23 : Abdrücke in UV-Lack zweier Stempel, welche mit unterschiedlichen<br />
Hartmasken hergestellt wurden<br />
4.24 : Ätzratenabhängigkeiten des NXR-2010<br />
4.25 : Ätzprofil nach einem Residual-Ätzprozess mit einem CF 4 /Ar-Gemisch<br />
4.26 : Ätzprofil nach einem Residual-Ätzprozess mit <strong>einer</strong> Proben-Kühlung<br />
4.27 : Zweilagen-Lackstrukturierung<br />
4.28 : Reverse-Tone Prozess<br />
4.29 : Fencing<br />
4.30 : Pt-Strukturen nach dem Ar-Sputterätzen<br />
4.31 : Reduzierung der Fencing-Strukturen<br />
5.1 : Prozessablauf der Bottom-Elektroden<br />
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