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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

Abbildungsverzeichnis

Abbildungsverzeichnis 2.1 : Gegenüberstellung des thermischen Imprints und des UV-Imprints 2.2 : Auszug aus der ITRS-Roadmap 2.3 : Prinzipdarstellung einer DRAM-Speichereinheit 2.4 : Prinzipdarstellung einer Flash-Speichereinheit 2.5 : Schreibschema eines PCRAM 3.1 : Kondensatoraufbau einer resistiv schaltenden Zelle 3.2 : Schaltverhalten von resistiven Materialien 3.3 : Resistives Schalten in Metall-Oxiden 3.4 : Resistives Schalten in Festkörper-Elektrolyten 3.5 : Crossbar-Array-Architektur 4.1 : Nanoimprint-Anlage NX2000 4.2 : Funktionsdarstellung der Nanoimprint-Anlage NX2000 4.3 : Vergleich zweier Ergebnisse, wie sie mit einer Parallelplatten-presse und einer Druckluftpresse auf einem 100 mm Wafer erzielt worden sind 4.4 : Druck- und Temperaturverlauf während eines UV-Nanoimprint- Prozesses 4.5 : Aufbau der Ionfab300plus 4.6 : Gitteranordnung und Potentialverlauf des Ionenstrahlverfahrens 4.7 : Herstellungsprozess der UV-Nanoimprint-Stempel 4.8 : Chemischer Aufbau des Perfluorsilans 4.9 : Silanisierungsprozess 4.10 : Kontaktwinkelmessung der silanisierten Stempeloberfläche 3

4.11 : 100 mm SiO 2 -Wafer für die Stempelherstellung 4.12 : CAD-Layout der Elektrodenstrukturen für Crossbar-Array- Architektruren 4.13 : Lackabdruck: Versatz der abzubildenden Struktur bei einem thermischen Imprint-Prozess 4.14 : Aufschleuderkurve des NX-2010 4.15 : Messungen von initialer Lackdicke nach dem Aufschleudern und des Residual-Layers 4.16 : Residual-Layer-Verteilung nach dem Breakthrough-Etch 4.17 : Unvollständig gefüllte Kontaktflächen und Zuleitungen 4.18 : Füllungseffizienz des Imprint-Stempels in Abhängigkeit der zu füllenden Peripheriefläche 4.19 : Füllungseffizienz in Abhängigkeit des Feststoffgehaltes des UV-Lacks 4.20 : Ätzmechanismen 4.21 : Pt-Teststrukturen nach dem Ar-Sputterätzen 4.22 : SiO 2 -Teststrukturen nach dem CF 4 -Ätzprozess 4.23 : Abdrücke in UV-Lack zweier Stempel, welche mit unterschiedlichen Hartmasken hergestellt wurden 4.24 : Ätzratenabhängigkeiten des NXR-2010 4.25 : Ätzprofil nach einem Residual-Ätzprozess mit einem CF 4 /Ar-Gemisch 4.26 : Ätzprofil nach einem Residual-Ätzprozess mit einer Proben-Kühlung 4.27 : Zweilagen-Lackstrukturierung 4.28 : Reverse-Tone Prozess 4.29 : Fencing 4.30 : Pt-Strukturen nach dem Ar-Sputterätzen 4.31 : Reduzierung der Fencing-Strukturen 5.1 : Prozessablauf der Bottom-Elektroden 4