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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />

(Abbildung 4.20 a). Die beschleunigten Ionen werden an der Lackkante gestreut und<br />

treffen unter einem schrägen Winkel auf <strong>die</strong> Substratoberfläche. Eine Ätzselektivität<br />

zwischen unterschiedlichen Materialien ist nur bedingt durch <strong>die</strong> Verwendung<br />

verschiedener Gase gegeben [112].<br />

Im Fall II) der chemischen Trockenätzverfahren werden reaktive Gase (O 2 , F, Cl etc.)<br />

eingesetzt. Durch <strong>die</strong> Reaktion des Ätzgases mit den Waferatomen bilden sich flüchtige<br />

Verbindungen, <strong>die</strong> durch Desorption von der Oberfläche entweichen. Der chemische<br />

Ätzprozess zeichnet sich durch seine isotrope Charakteristik aus, wodurch bei<br />

vorstrukturierten Substraten ein Unterätzen der Maske entstehen kann<br />

(Abbildung 4.20 b).<br />

Im Fall III) des physikalisch unterstützten chemischen Prozesses wird ein Gasgemisch<br />

aus inerten und reaktiven Gasen gebildet. Der Inertgasanteil sorgt in <strong>die</strong>sem Fall da<strong>für</strong>,<br />

dass nicht-flüchtige Reaktionsprodukte durch eine kinetische Komponente von der<br />

Oberfläche entfernt werden können. Dieses Verfahren bietet eine hohe Flexibilität, da<br />

durch geeignete Gasmischungsverhältnisse zum einen senkrechte Ätzkanten realisiert<br />

und zum anderen hohe Ätzselektivitäten unterschiedlicher Materialien erzielt werden<br />

können. Senkrechte Kanten und hohe Selektivitäten sind in der Trockenchemie-<br />

Technologie wünschenswert, da hierdurch unerwünschte, vertikale und horizontale<br />

Strukturverluste gering gehalten werden.<br />

Neben der Wahl geeigneter Gase und Mischungsverhältnisse spielen Parameter, wie <strong>die</strong><br />

Beschleunigungsenergien der Ionen, <strong>die</strong> Temperatur der Probe, der Kammerdruck und<br />

<strong>die</strong> Plasmadichte, während des Prozesses eine bedeutende Rolle. Die Regelung und<br />

Einflüsse <strong>die</strong>ser Parameter sind jedoch stark von der verwendeten Technologie (z.B.<br />

RIBE oder RIE) und der Dimensionierung der Prozesskammer bzw. deren<br />

Komponenten abhängig [113, 114].<br />

4.2.5 Ätzprozesse<br />

Zur Herstellung der Crossbar-Bauelemente wurden eine Reihe an Materialien<br />

strukturiert. Für <strong>die</strong> Stempelherstellung wurde sowohl das Hartmaskenmaterial,<br />

bestehend aus verschiedenen Metallen, als auch das Glassubstrat (SiO 2 ) geätzt (vgl.<br />

Abbildung 4.7 d, e). Für <strong>die</strong> Herstellung der Crossbars wurde zunächst nach der<br />

Nanoimprint-Lithographie der Residual-Layer, bestehend aus siliziumhaltigem UV-<br />

Lack, und anschließend das Elektrodenmaterial, welches verschiedene Metalle<br />

beinhalten konnte, strukturiert. Ferner wurde eine Planarisierungsschicht benötigt (siehe<br />

Kapitel 5.5), welche mittels RIBE gedünnt werden musste. Diese Schicht bestand aus<br />

einem SiO 2 -haltigem Glas, wodurch hier Ätzprozesse <strong>für</strong> reines SiO 2 angewendet<br />

wurden.<br />

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