Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
(Abbildung 4.20 a). Die beschleunigten Ionen werden an der Lackkante gestreut und<br />
treffen unter einem schrägen Winkel auf <strong>die</strong> Substratoberfläche. Eine Ätzselektivität<br />
zwischen unterschiedlichen Materialien ist nur bedingt durch <strong>die</strong> Verwendung<br />
verschiedener Gase gegeben [112].<br />
Im Fall II) der chemischen Trockenätzverfahren werden reaktive Gase (O 2 , F, Cl etc.)<br />
eingesetzt. Durch <strong>die</strong> Reaktion des Ätzgases mit den Waferatomen bilden sich flüchtige<br />
Verbindungen, <strong>die</strong> durch Desorption von der Oberfläche entweichen. Der chemische<br />
Ätzprozess zeichnet sich durch seine isotrope Charakteristik aus, wodurch bei<br />
vorstrukturierten Substraten ein Unterätzen der Maske entstehen kann<br />
(Abbildung 4.20 b).<br />
Im Fall III) des physikalisch unterstützten chemischen Prozesses wird ein Gasgemisch<br />
aus inerten und reaktiven Gasen gebildet. Der Inertgasanteil sorgt in <strong>die</strong>sem Fall da<strong>für</strong>,<br />
dass nicht-flüchtige Reaktionsprodukte durch eine kinetische Komponente von der<br />
Oberfläche entfernt werden können. Dieses Verfahren bietet eine hohe Flexibilität, da<br />
durch geeignete Gasmischungsverhältnisse zum einen senkrechte Ätzkanten realisiert<br />
und zum anderen hohe Ätzselektivitäten unterschiedlicher Materialien erzielt werden<br />
können. Senkrechte Kanten und hohe Selektivitäten sind in der Trockenchemie-<br />
Technologie wünschenswert, da hierdurch unerwünschte, vertikale und horizontale<br />
Strukturverluste gering gehalten werden.<br />
Neben der Wahl geeigneter Gase und Mischungsverhältnisse spielen Parameter, wie <strong>die</strong><br />
Beschleunigungsenergien der Ionen, <strong>die</strong> Temperatur der Probe, der Kammerdruck und<br />
<strong>die</strong> Plasmadichte, während des Prozesses eine bedeutende Rolle. Die Regelung und<br />
Einflüsse <strong>die</strong>ser Parameter sind jedoch stark von der verwendeten Technologie (z.B.<br />
RIBE oder RIE) und der Dimensionierung der Prozesskammer bzw. deren<br />
Komponenten abhängig [113, 114].<br />
4.2.5 Ätzprozesse<br />
Zur Herstellung der Crossbar-Bauelemente wurden eine Reihe an Materialien<br />
strukturiert. Für <strong>die</strong> Stempelherstellung wurde sowohl das Hartmaskenmaterial,<br />
bestehend aus verschiedenen Metallen, als auch das Glassubstrat (SiO 2 ) geätzt (vgl.<br />
Abbildung 4.7 d, e). Für <strong>die</strong> Herstellung der Crossbars wurde zunächst nach der<br />
Nanoimprint-Lithographie der Residual-Layer, bestehend aus siliziumhaltigem UV-<br />
Lack, und anschließend das Elektrodenmaterial, welches verschiedene Metalle<br />
beinhalten konnte, strukturiert. Ferner wurde eine Planarisierungsschicht benötigt (siehe<br />
Kapitel 5.5), welche mittels RIBE gedünnt werden musste. Diese Schicht bestand aus<br />
einem SiO 2 -haltigem Glas, wodurch hier Ätzprozesse <strong>für</strong> reines SiO 2 angewendet<br />
wurden.<br />
55